提高功率多芯片模块终测成品率的方法探讨 discussion on how to improve final test yield of power mcm.pdfVIP

技术专栏 Column Technology doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2009．11．007 提高功率多芯片模块终测成品率的方法探讨 邵一琼，汪辉，任炜星 (上海交通大学微电子学院。上海200240) 摘要：根据功率多芯片组装模块成品率低的现状，分析比较了芯片级成本和模块总成本随模 块中芯片数量和模块成品率而变化的关系，提出了临界成品率的概念。建立了典型的成本模型， 得出了临界成品率随芯片数量的变化趋势，并给出了单芯片、双芯片到4芯片的成本曲线和临界 成品率，分别为89％，94％和98％。对于由某一封装原材料引起的模块低成品率，也存在临界 成品率，建立了典型公式，阐明了如何计算这一临界成品率。针对功率多芯片模块的成品率问题 主要集中在功率芯片的UIS和尺dB0。参数上，给出加强这两个参数的测试能力和准确性的方法建 议。 关键词：功率多芯片模块；晶圆测试；晶圆重测；终测；临界成品率 中图分类号：TN307文献标识码：A 文章编号：1003．353X(2009)11．1078．04 Discussionon to FinalTestYieldofPowerMCM HowImprove Shao Hui，Ren Yiqiong，WangWeixing (SchoolMicroelectronics of ofSJTU，Shangha／200240，Ch／na) tothe statusof relation power Abstract：Accordinglow—yield multi-chip betweenthe coatandthetotalmodulescost withthenumberof inthemoduleandthe chip-scale changing chips was cost wag modulewere and model yield analyzed yieldconceptproposed．Atypical compared，critical establishedandthe trendofcritical thenumberof Wasobtained．costcurveandthe changing yield诵tll chips critical of tofour of89％，94％and98％were yieldsingle-chip，twochipsup chips given，respectively． for As thelow causedacertain rawmaterial．theissueofcritical alsoexists．A yield by packaging yield formulaWasestablishedfor thecritical the issuesofMCM focuses typical calculating yield．Sinceyield mainl