半导体光电技术课程教学大纲.docVIP

《半导体光电技术》课程教学大纲 课程 编号01826182 课程 名称 （中文）半导体光电技术 （英文）Semiconductor Opto- Electronic Technology 课 程 基 本 情 况 1．学分：4 学时：40 （课内学时： 40 实验学时：0 ） 2．课程性质：专业课 3．适用专业：工学 适用对象：本科 4．先修课程：《普通物理》 5．首选教材：《光电子器件》高中林 东南大学出版社 1991.6 二选教材：《半导体物理学》刘恩科、朱秉升等 国防工业出版社 1994 参考书目：《半导体物理问题和习题》田敬民编 S.M.Sze, Semiconductor Devices, Physics and Technology , Wiley, New York, 1985. 6．考核形式：考试（开卷） 7．教学环境：课堂 课 程 教 学 目 的 及 要 求 通过对课程的学习，使学生掌握半导体光电子器件、技术的基本概念、基本理论，掌握常用光电子器件的性能，使用要点和选用原则。为今后从事相关工作打下基础。 教学目的： 通过对课程的学习，使学生掌握半导体光电子器件、技术的基本概念、基本理论，掌握常用光电子器件的性能，使用要点和选用原则。为今后从事相关工作打下基础。 教学要求： 半导体物理基础知识部分： 1．了解半导体共价键的形成；了解半导体内电子的共有化运动；掌握半体内电子满足的能量与波矢之间的关系；掌握半导体中电子的平均速度和有效质量的计算。 2．了解替位式杂质，间隙式杂质；了解施主杂质，施主能级，受主杂质，受主能级；掌握浅能级杂质电离能的简单计算；了解杂质补偿作用。 3．了解波矢空间的量子态的分布；掌握半导体导带底，价带顶附近的状态密度计算；了解费米分布函数和玻耳兹曼分布函数及其物理意义；熟练掌握本征半导体，杂质半导体载流子浓度的计算． 4．要求：掌握电导率与迁移率的关系；了解载流子的主要几种散射机构；掌握电导率，迁移率与驰豫时间的关系及电阻率随温度的变化规律。 5．了解非平衡载流子的产生、复合及动态过程：了解非平衡载流子寿命的定义；了解准费米能级的含义；掌握在直接复合下，非平衡载流子复合率的计算；掌握连续性方程在实际器件中的运用。 6．会分析空间电荷区的形成过程；掌握p-n结接触电势差和载流子分布的计算；掌握p-n结电流电压方程式的推导；了解p-n结的齐纳击穿和雪崩击穿机理。 7．了解金属和半导体的功函数的含义和半导体的电子；对金属和半导体之间接触引起的能带弯曲过程会分分析和画简图，了解少数载流子的注入过程和形成欧姆接触的必要条件；了解异质结形成时的能带变化过程。 课 程 教 学 目 的 及 要 求 半导体光电器件部分 1．了解半导体复折射率的定义，及与复介电常数之间的关系：掌握菲涅尔公式及了解复折射角的物理含义；掌握利用光在半导体表面反射后振幅、位相变化的信息，测量材料的光学参量的基本方法，掌握利用在半导体薄片透射的特性，测量材料的光学参量的基本方法。 2．要求：初步了解半导体材料吸收谱中的六种主要吸收机理；利用吸收谱的基本吸收区部分判别直接间隙半导体和间接间隙半导体；了解直接跃迁，间接跃迁，本征跃迁和非本征跃迁概念 3．了解内光电效应和外光电效应；了解本征光电导和杂质光电导效应，定态光电导及光电导的驰豫过程；掌握光电导增益因子的计算及与光电导灵敏度的关系；了解p-n结的光伏效应。 4．了解评估光电探测器性能的几个常见参数；了解光导探测器，光电二极管的参数与半导体材料参数之间的关系；了解PIN光电二极管和雪崩光电二极管的工作原理。 5．了解p-n结结构的太阳电池工作原理及开路电压，短路电流的计算． 6．只须大概了解热辐射，辐射复合和非辐射复合的基本机理：了解半导体材料的能带结构和辐射之间的关系。 7．了解半导体的电致发光机构：了解半导体激光器的工作原理和器件参数；了解常见发光材料的发光机理及提高发光二极管发光效率的途径． 课 程 内 容 及 学 时 分 配 课 程 内 容 及 学 时 分 配 课 程 内 容 及 学 时 分 配 半导体物理基础知识部分 （一）半导体中电子状态（ 1学时 ） 半导体中电子的状态和能带；半导体中电子的运动；本征半导体的导电机构，硅和锗的能带结构。 重点：了解半导体共价键的形成；了解半导体内电子的共有化运动；掌握半体内电子满足的能量与波矢之间的关系；掌握半导体中电子的平均速度和有效质量的计算；简单了解硅和锗的能带结构。 难点：本征半导体的导电机构。 （二）半导体中杂质的缺陷能级（ 1学时 ） 硅、锗晶体中的杂质能级