一种精确求解超薄栅nmos器件隧穿电流的模型 a precise model of electron tunneling current through ultra-thin-oxide nmos.pdfVIP

第28卷第2期 固体电子学研究与进展 V“28，No．2 2008年6月 OFSSE Jun．，2008 RESEARCHPROGRESS 一种精确求解超薄栅NMOS器件隧穿电流的模型’ 李宗林徐静平” 许胜国 (华中科技大学电子科学与技术系，武汉，430074) 2006一06-30收稿，2006—09—18收改穑 摘要：提出了一种精确求解隧穿电流的模型。通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程，得到NMOS器件的半 导体表面电势分布、反型层二维电子气的量子化能级以及对应的载流子浓度分布。为计算隧穿电流，采用了多步势 垒逼近方法计算栅氧化物势垒层的隧穿几率，从而避免了wKB方法在突变边界处波函数不连续带来的缺陷。通过 考虑(100)si衬底的导带多能谷效应和栅极多晶硅耗尽效应，讨论了不同栅氧化层厚度下隧穿电流与栅压的依赖 关系．模拟结果与实验数据吻合。