一种具有独特导通机理的新型超结igbt a novel super-junction igbt and its unique conducting mechanism.pdfVIP

第31卷 第6期 固体电子学研究与进展 V01．31，No．6 2011年12月 0FSSE Dec．，2011 RESEARCHPROGRESS 一种具有独特导通机理的新型超结IGBT 王永维+ 陈星弼 (电子科技大学，电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都，610054) 20ll—04—04收稿，2011—07—18收改稿 摘要：首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA— 度下器件的导通模式会在单极输运和双极输运之间相互改变，而这一特性是超结IGBT所独有的。也正是这一特 殊的导通机理使得超结IGBT的E。，K。关系得到了突破性的改进。此外，结合超结技术的基本理论详细分析了电 荷非平衡效应对超结IGBT器件耐压能力的影响，给出了耐压区N柱、P柱掺杂浓度的合理取值范围。