气隙在铁氧体磁芯中的应用..doc

气隙在铁氧体磁芯中的应用 益衡电子有限公司 刘祖贵 Enhance electronics CO.,LTD. LiuZugui 摘要:本文详细论述了气隙在目前主要开关电源拓扑磁芯中的应用及其理论推导过程,并从多方面量化地分析了气隙所带来的利弊影响.文中除气隙采用mm制外,其它均采用国际单位制.为研磨的气隙长度, 为研磨前磁芯的有效磁路长路, 为研磨后磁芯的磁路长度,其它为一般物理量通用符号. 由于反激拓扑的工作原理可等效为一个功率电感和变压器并联,因此以铁氧体作磁芯的功率电感（PFC等）气隙设计可参考反激拓扑,这里不作专门讨论. 正文: 气隙在仅工作于第一象限磁芯中的应用. 以正激拓扑为例,由于剩磁Br的存在,峰值磁密Bm=ΔB+Br,能有效利用的交变磁密ΔB=Bm-Br,如图(一)所示. 图(一) 运行于第一象限的磁滞回线轨迹 图(二) 单端正激拓扑导通阶段 图(三) TDK PC44磁化曲线 图(四) 加入气隙后的磁滞回线 图三为典型铁氧体磁芯材料（TDKPC44）的磁化曲线,从图上可看出磁密范围在0.2T内为其线性区域,PC44的剩磁(未加气隙).如果正激拓扑磁芯从零磁化力即0.1T开始进行,则磁芯进入磁滞回线弯曲部分之前的最大磁通变化量ΔB=Bm-Br=0.1T. 由法拉第定律 得: 由 得 : 所以有: 变形得: 即在线性区内有: 公式(一) 其中Im为励磁峰值电流,它是由零起始（断续）的斜坡电流,故有.从公式一可看出初级匝数NP与ΔB成反比,较小的ΔB就要求较多的初级匝数,较多的初级匝数使线径减小,从而降低了变压器的输出电流和功率,因此磁芯的利用率极低. 磁芯加入气隙后使磁滞回线倾斜,剩磁就会显著降低.磁滞回线的倾斜并不改变矫顽力Hc的大小,也不改变磁饱和磁密Bs及线性区最高磁密Bm的大小. 它只是使磁滞回线的弯曲部分延伸到更大的磁场强度区域.从图四可看出加入气隙后磁芯的有效磁导率约等于Hc处磁滞回线的斜率:, 因此加入气隙后的剩磁: 公式(二) 下面开始推导加入气隙后磁芯的磁导率 由安培环路定律 可导出: 公式(三) (为磁路路径所包围的凈电流的代数和:,如图(二)示) 当时(中心柱研磨气隙,R为磁芯中柱半径),气隙所引起的边缘效应可忽略,则: 　　 公式(三)可写成: 　　　　 公式(四) 即有:　　 变形得:　 　　　　将公式(二)代入上式得:　　 (其中μr为材料的相对磁导率,工程上一般有μr～μi). 一般可取Br(with gap)=0.02T,这样可有效利用的交变磁密ΔB=Bm-Br(withgap)=0.18T,这样就能减小初级匝数,大大提高磁芯的利用率.而且取此值时所需的气隙长度极小,气隙所带来的漏磁通 (由于漏磁通ΦL的闭合路径中大部分为弱磁性物质空气,漏磁通磁路的磁阻可认为等于空气隙部分磁路的磁阻 , la增大,空气隙所产生的磁阻增大,空气隙所引起的边缘效应将会变得严重,漏磁通因此而增大.相反la减小则漏磁通会减小.漏磁链与i成正比: ,漏磁通所引起的电压变化量为,工程上一般可用实验的方法近似测得漏感LL）也可控制在接受的范围内,以PC44PQ4040 ()为例,其剩磁降到0.02T所需要的气隙长度为: 如此小的气隙长度并不需特别研磨,工艺上自然能够实现.但引入气隙也是有代价的,励磁电感量Lm受气隙长度的影响甚大: 　由公式(四)可得: 　 由公式(一)可得:　　 公式(五) 　 不加气隙: 加入气隙: 　 磁路长度为的磁芯中研磨长度为的气隙,励磁电感系数减小的比例为: