碳化硅mosfet并联均流的研究..doc

碳化硅MOSFET并联均流的研究 Investigation of current sharing of paralleling SiC MOSFET 王珩宇1，吴新科1，郭清1，盛况1 （1浙江大学电气工程学院，杭州 310027） 摘要：碳化硅材料是一种新型宽禁带半导体材料。 Abstract: SiC is a new kind of wind band gap material. This paper investigated the current sharing of paralleling SiC MOSFET. A double pulse tester was built to test two paralleling branches. With this tester, a careful experiment was performed to examine current sharing of 2 random SiC MOSFET chips statically and dynamically. For comparison, two Si IGBT chips were tested under the same circumstances. Through experiment and analysis, it was found that the uniformity of SiC MOSFET is not as good as the Si IGBT and the problem of current sharing is exacerbated when the devices switch faster (for instance, di/dt up to 20A/ns). 关键词：碳化硅 双脉冲测试 并联均流 Key words：SiC , Double pulse test, Current sharing 1 引言 近年来，出现了许多新型宽禁带半导体材料，包括SiC、GaN等。这些材料对器件的性能有较大的提升，为进一步提升模块的指标提供了可能。SiC材料由于禁带宽段宽，临界电场强度高，电子迁移率高这些优异性能在大功率应用有很大的潜能。但是实际工作下是否能够提供优越的性能，特别地， 尽管现在器件的功率等级逐渐提升，公司可以提供100V/60A功率等级的，但是市场对于兆瓦级大功率变流器的需求也是与日俱增。那么的并联方案逐渐被采用而成为一种趋势。 在这样的大功率应用中，芯片的均流问题也随之凸显。并联必然会由于器件，回路和驱动的差异而产生不同程度的不均流问题。器件不均流会使得器件的损耗不同，发热不同。不同芯片之间必然有一定的温度差，才能保持。这时总的功率就被温度最高的器件所限定。因此的均流问题对于其并联有着重要的意义。模块内部的芯片并联，因此测试。 2 本次研究为了测试SiC MOSFET的并联均流性能，采用双脉冲动态测试。通过双脉冲测试，可以获取器件在静态和动态的均流情况以进行研究。电路原理图如下图1所示。 图 1 下管开关管选用Cree公司的1200V/50A SiC MOSFET（为了与之比较，还会用Infineon公司的1200V/50A IGBT），上管二极管同样选用Cree公司的1200V/50A SiC二极管。 为了对裸片进行测试，这里采用与模块封装相似的方法，一方面利用将芯片的极焊在PCB板上。另一方面利用将芯片的和与PCB相连。注意两路保持对称，是换流回路的对称。 为了使外电路尽量一致（包括驱动），两路器件的栅极都用同一个驱动来控制。电压测试采用普通电压探头，因为测试母线电压为380V，普通电压探头足够承受此电压，而且此电压探头测试带宽比差分探头宽。电流检测首先考虑到开通或关断过程持续时间的时候只有10ns左右SiC MOSFET），那么测量电流的带宽至少要有100MHz。同时测量电流还包括直流分量，所以我们选取current shunt）作为电流检测设备。的寄生电感小可以测高频率的电流。 3 利用上面所述搭建的平台，对SiC MOSFET进行了并俩均流测试，包括静态均流和动态均流。同时为了说明碳化硅MOSFET的均流问题，本次研究还对同等级Si的IGBT进行了测试。 测试是在室温25℃、母线电压380V的条件下进行，测试过程中将改变工作电流观察这一参数对均流的影响。 3.1 静态均流 利用同轴电阻检测两路MOSFET在静态导通电流时，分别流过的电流，并计算出了两路的差异。这里的测试在不同大小的电流情况下分别进行了测试，测试结果如下图2所示。 图 2 从上图2可以看到，静态时两路芯片导通电流存在差异，在Ids=5A时差异为3%。这种差异性在