变温霍耳效应.PDFVIP

变温霍耳效应 实验者：余钊焕 合作者：朱 可 （中山大学理工学院，物理学专业2006 级，学号） 2008 年 10 月 5 日 【实验目的】 1. 理解霍耳效应的物理原理； 2. 掌握导电材料的霍耳系数和电导率的测量方法； 3. 进一步理解半导体的导电机制； 4. 测量分析霍耳系数的电导率随温度的变化关系。 【实验仪器】 CVM-200 霍耳效应测试系统（包含 SV-15 低温恒温器、202 型控温仪、C103 型电磁铁 和 LPS305 数控式线性直流稳压电源）、FD-TX-FA 特斯拉计。 【实验原理】 （一）霍耳效应 一矩形载流的导电材料，若在与电流I 垂直的方向上施加一外磁场 B ，则在导电材料内 部与电流和磁场相互垂直的方向上，会产生一横向电位差 V ，这种现象称为霍耳效应，V H H 称为霍耳电压。霍耳效应的物理原理如图（1）所示。如果导电材料内参与导电的载流子以 电子为主，称为n 型导电材料；若以空穴为主，则称为 p 型导电材料。事实上，存在着数量 级相同的两种载流子参与导电的物理过程。 图 1 霍耳效应原理 （二）单一种载流子的霍耳系数 假设一块宽为 w 厚为 d 的p 型半导体材料，如图 1 （b ）所示，空穴载流子荷电量为q 。 若沿 x 方向通以稳恒电流，同时在与电流垂直的方向上施加一均匀外磁场，以平均漂移速度 v 的空穴载流子受到洛伦兹力 FL q v B  （1） 的作用。空穴载流子向y 方向偏转，引起 CA 侧负电荷积累和 DB 侧正电荷积累，从而在y 方向上逐渐建立起电场，称为霍耳电场，它对载流子受洛伦兹力的偏转产生阻力 FB qEH （2 ） - 1 - 直到与洛伦兹力平衡为止，即 E vB （3 ） H 若空穴载流子浓度为p ，则载流子平均漂移速度为 I v （4 ） p q dw 霍耳电压为 IB IB V E w R （5 ） H H p qd d 式中 R 为霍耳系数。对于空穴载流子，可得 1 1 R （6 ） p q pe 同理，对多数载流子为电子的 n 型半导体