东南大学信息学院2013年模电期中考试试卷分析.pptxVIP

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2017-08-25 发布于湖北
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东南大学信息学院2013年模电期中考试试卷分析.pptx

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东南大学信息学院2013年模电期中考试试卷分析

期中考试讲评;如图所示电路中的二极管为理想的，试画出输出电压vO的波形。设vi = 7sinωt (V)。;在如图所示电路中，晶体管的β=150，VA=-100V，VBE(on)=0.7V，试求ICQ，VCEQ，并画出该电路的小信号等效电路，求输入电阻Ri ，输出电阻Ro，电压增益Av。设各电容对交流呈短路。;在如图所示P沟道EMOSFET电路中，已知，VGS(th)=－1V，设VA=100V，试求IDQ，VDSQ，gm和rds。;分析如图所示两个电路的工作原理，并写出输出的逻辑表达式。;试画出下图所示MOS电路的交流小信号等效电路，指出T1和T2在电路中的作用，并给出小信号电压增益的表达式;在图所示电路中，三极管特性相同，场效应管的特性也相同。已知?VBE(on)?=0.7V，β＝200，(W/l)1=1.5/0.3，(W/l)2=6/0.3。忽略基区宽度调制效应和沟道长度调制效应。试求各电阻流过的电流IR1~IR7。;在下图所示差分放大电路中，已知双极型晶体管的参数为：β =100，，，T1～T4管的，T7、T8管的。场效应管T5、T6的参数相同。试求电路的差模输入电阻和差模电压增益。;在图所示电路中，各晶体管参数相同：rbb′＋ rb′e =2k ，β=100，RL= 3k 。忽略基区宽度调制效应。试求该电路输入电阻Ri和电压增益 Av 。