中北大学数字电子技术课件(第二章).ppt

第 2 章　逻辑门电路 2.1 概 述 一、门电路的作用和常用类型 二、获得高低电平的方法及高电平和低电平的含义 2.2二极管和三极管的开关特性 一、三极管的开关作用及其条件 2.4　TTL 集成逻辑门 2.4.1TTL 反相器的电路结构和工作原理 2.6.5、CMOS 数字集成电路应用要点 3.5 集成逻辑门电路的应用 一、CMOS 门电路比之 TTL 的主要特点 二、集成逻辑门电路的选用 三、集成逻辑门电路应用举例 本章小结 PMOS C uI/uO VDD CMOS传输门电路结构 uO/uI VP C NMOS VN 传输门是一个理想的双向开关， 可传输模拟信号，也可传输数字信号。 TG uI/uO uO/uI C C 传输门逻辑符号 TG 即 Transmission Gate 的缩写 CMOS 传输门 双向模拟开关 图2.6.25 CMOS双向模拟开关的电路结构和符号 图2.6.28 CMOS三态门电路结构之一 返回 五、三态输出的CMOS门电路 反相器上增加一对P沟道和N沟道的MOS管组成。 图2.6.29 CMOS三态门电路结构之二 （a）用或非门控制 （b）用与非门控制 返回 在反相器的基础上增加一个控制管和一个与非门或者或非门而形成。 图2.6.30 CMOS三态门电路结构之三 返回 在反相器的输出端串进一个CMOS模拟开关，作为输出状态的控制开关。 (一)CMOS 数字集成电路系列 CMOS4000 系列 功耗极低、抗干扰能力强； 电源电压范围宽 VDD = 3 ~ 15 V； 工作频率低，fmax = 5 MHz； 驱动能力差。 高速CMOS 系列(又称 HCMOS 系列) 功耗极低、抗干扰能力强；电源电压范围 VDD = 2 ~ 6 V； 工作频率高，fmax = 50 MHz； 驱动能力强。 提高速度措施：减小 MOS 管的极间电容。 由于CMOS电路 UTH ? VDD / 2，噪声容限UNL ? UNH ? VDD / 2，因此抗干扰能力很强。电源电压越高，抗干扰能力越强。 [例] 欲用下列电路实现非运算，试改错。 　　(ROFF ? 700 ?，RON ? 2.1 k?) 解： OC 门输出端需外接上拉电阻 RC 5.1kΩ Y = 1 Y = 0 RI RON ，相应输入端为高电平。 510Ω RI ROFF ，相应输入端为低电平。 2.6 CMOS门电路 复习内容 N沟道增强型 P沟道增强型 逻辑符号 进入可变电阻区的条件 进入截止区的条件 UGS（TH）0 UGSUGS(TH) U GS(TH)0 UGSUGS(TH) UGSUGS(TH) UGSUGS(TH) 图2.6.1 CMOS反相器（a）结构示意图 （b）电路图 返回 一、电路结构 A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B 增强型 NMOS 管 (驱动管) 增强型 PMOS 管(负载管) 构成互补对称结构 (一)电路基本结构 要求VDD UGS(th)N +｜UGS(th)P｜且 UGS(th)N =｜UGS(th)P｜ UGS(th)N 增强型 NMOS 管开启电压 A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B NMOS 管的衬底接电路最低电位，PMOS管的衬底接最高电位，从而保证衬底与漏源间的 PN 结始终反偏。. uGSN + - 增强型 PMOS 管开启电压 uGSP + - UGS(th)P uGSN UGS(th)N 时，增强型 NMOS 管导通 uGSN UGS(th)N 时，增强型 NMOS 管截止 O iD uGS UGS(th)N 增强型 NMOS 管 转移特性 时, 增强型 PMOS 管导通 时, 增强型 PMOS 管截止 O iD uGS UGS(th)P 增强型 PMOS 管 转移特性 A uI Y uO VDD S G D D G S B VP VN B 2.6.1 CMOS 反相器的工作原理 A uI Y uO VDD S G D D G S VP 衬底 B VN 衬底 B ROFFN RONP uO +VDD S D D S 导通电阻 RON 截止电阻 ROFF RONN ROFFP uO +VDD S D D S 可见该电路构成 CMOS