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第五章 电气设备绝缘试验（一） QS1型电桥原理 结论： QS1电桥的反接线 西林电桥反接线 tanδ测量的影响因素 外界电磁场的干扰； 温度的影响； 试品电容量的影响； 试品表面泄漏电流的影响。 倒相法消除电场干扰 两次介损和电容的测量结果分别为： tgδ1，C1 tgδ2，C2 实际介损和电容量计算： * HVDC Valves 5.3 介质损失因数的测量 仪器： 西林电桥（QS1） 自动抗干扰电桥 用途： 用于发现电气设备整体性绝缘缺陷 Cx Rx CN R3 R4 C4 令 C4单位是微法 Cx Rx CN R3 R4 C4 C4的读数就是tanδ数值 （例如：C4=0.006uF,tgδ=0.6%) 采用反接线 有时，试品主绝缘有一侧和地相连，不能断开，正接线无法测量。 高压带电体 IX I’X I’X IX *