结晶格子と电子状态-佐藤胜昭.PPT

結晶格子と電子状態 佐藤勝昭 東京農工大学 工学部物理システム工学科 内容 １．はじめに ２．結晶の対称性と電子構造 ３．バンドダイヤグラムの見方 ４．固体の光学現象と電子構造 Ａ．バンド構造と光学遷移の選択則 Ｂ．反射スペクトルとバンド構造 Ｃ．直接遷移と間接遷移 Ｄ. 価電子帯の分裂とバンド内遷移 局在電子系の多電子構造－結晶場 ５．おわりに １．はじめに 結晶評価法には、 実空間で直接見る方法 逆格子空間の写像を見る方法 のほかに、 反射分光法、光電子分光法、磁気共鳴分光法 　などによって間接的に評価する方法がある 分光法→基礎となる電子構造の理解が必要 「電子状態の話はむずかしい？」→上手な付き合い方教えます。 2.結晶の対称性と電子構造 局所的な対称性→点群 点欠陥?不純物のまわりの近距離の対称性 結晶場?核スピン→多電子準位の分裂?シフト 遷移元素を添加して光スペクトル?ESRで観測 結晶全体の対称性→空間群 広がったバンド電子の見る長距離の対称性 反射スペクトル、光電子スペクトルで観測 結晶のよさ バンド電子系特有の光スペクトル構造の発現 励起子発光、サイクロトロン共鳴の観測 電子構造と光学的性質 結晶構造?対称性?周期性：バンド構造 →反射スペクトル、変調反射スペクトル、光電子スペクトル 構成元素の性質：Ｘ線吸収、Ｘ線発光 磁気的性質：磁気光学効果 界面、表面：エリプソメトリ 局在電子状態：不純物?欠陥→吸収スペクトル、発光スペクトル 透過率スペクトル Ellipsometry→n, k 発光励起(PLE)スペクトル（発光センターの吸収） PAS（粉体?散乱性のものでも測定可） PDS　(Photothermal Diffraction Spectroscopy) （薄膜の微弱吸収の測定可） 光伝導スペクトル （トラップに関係する微弱吸収測定可） 反射スペクトル→Kramers-Kronig変換 2．バンドダイヤグラムの見方 縦軸と横軸 Γ、Ｘなどの記号は何？ 屏風のようにつながっているのはなぜ？ 半導体と金属 Γ２５とかΓ１２とは？ 広いバンドと狭いバンド 状態密度曲線 状態密度曲線の検証－光電子スペクトル Ｅ－ｋ分散曲線はホント？ (1) 波数ベクトルとは？ 結晶運動量 (例) シリコンと鉄のバンド構造 (3)縦軸と横軸 縦軸：電子のエネルギー 正孔のエネルギーは下向き 単位：Ry=13.6eV (Rydbergリードベリ) 横軸：電子の波数ベクトルｋ 単位：ｃｍ－１ 波数って何？：電子の波動をeikrと表したときのｋ kの大きさ：k=2π/λ　いわば空間周波数 (4)Γ、Ｘなどの記号は何？ ＢＺとは： 逆格子空間におけるWigner-Seitz Cell 波数ベクトルkがＢＺ上にあると電子波のBragg反射が起きる ＢＺの形： fccではtruncated octahedron, bccでは正１２面体 ＢＺ（ブリルアンゾーン）の対称点の記号 ＢＺの中心k=(0,0,0)がΓ、他は結晶構造で異なる fcc格子の場合、k=(0,0,1)がＸ点、k=(1,1,1)がＬ点 逆格子 電子密度のフーリエ解析 n(r)=ΣnG exp(iG?r) nG=Vc-1∫celldV n(r)exp(-iG?r) 実空間　r 　逆格子空間G 3次元の場合： b1=(2π/Vc)(a2×a3), b2=(2π/Vc)(a3×a1), b3=(2π/Vc)(a1×a2) bi?aj=2πδij 実格子と逆格子 ブリルアンゾーン境界 ブリルアンゾーンの形 Siのバンドとブリルアンゾーンの対称点 ?点　k=(0,0,0) X点　k=(?/a){1,0,0} L点　k=(?3 ?/2a) ×{111} (3)屏風のようにつながっているのはなぜ？ Γ-Ｘ方向、Γ-Ｌ方向、Ｘ-Ｕ方向など異なる方位の分散をつなぎ合わせたもの Γ点で非対称なのはなぜ？ k=[1,0,0]方向に関して[-1,0,0]から[1,0,0]までを表示すれば対称的です。右側は[1,0,0]方向、左側は[1,1,1]方向に向かっての分散を描いたので、非対称に見えるだけです。 (4)半導体?金属?半金属?ハーフメタル 半導体：フェルミ準位を横切るE-k分散がない （フェルミ準位がバンドギャップの中に位置する） 金属：E-k分散曲線がフェルミ準位を横切る （BZにフェルミ面が見られる。電子面、ホール面） 半金属：伝導帯の底と価電子帯の頂の波数が異なり、かつ両帯のエネルギーに重なりがある。 ハーフメタル：多数スピンバンドは金属であるが、少数スピンバンドは半導体 半導体?半金属?金属