2017CB934300相变存储器规模制造技术关键基础问题研究.docVIP

项目名称： 相变存储器规模制造技术关键基础问题研究 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 2010年1月-2014年8月 中国科学院 上海市科委 实现PCRAM商用化问题是本项目拟解决的关键科学问题和主要研究内容如下： 高性能PCRAM相变材料体系的研究 通过使用稳定的二元固相、电中性(符合化学计量比)、p轨道电离度、4) s–p轨道的杂化程度这四个原则快速设计出新型相变材料的相图相图中最为可能的性能优良组份RAM单元和阵列，研究某一组分相变材料的电学性能，获得器件I-V、R-V和疲劳特性等，最为核心的是与存储数据保持力相关的材料的热稳定性研究。 高密度PCRAM单元之间的串扰问题研究 通过纳米组装与加工工艺实现对材料的存储性能、纳米尺寸效应、高密度串扰的实验验证，进一步研究812英寸材料的制备工艺，实现膜厚的均匀性与性能的一致性，为存储阵列的制备奠定基础。 基于中芯国际45nm技术工艺和新搭建的与其相兼容的12英寸PCRAM材料制备与单项工艺开发的平台，开展高密度、大容量PCRAM芯片所需关键纳米工艺（包括浸入式曝光、填充、刻蚀、抛光等工艺以及新型二极管的开发工艺）的开发及所涉及科学问题的探讨，优化纳米1R1D（一个可逆相变电阻和一个二极管）存储单元的集成工艺及其失效机制分析。具体将围绕相变材料的物理及电学特性，设计相应的器件结构和工艺流程，排除与现有工艺在