热处理对LaMnO3薄膜结构、成分与电阻率的影响.docVIP

热处理对LaMnO3薄膜结构、成分和电阻率的影响 席博a，张国庆a，罗永春a,b (兰州理工大学，a 材料学院;b 有色金属先进加工与再利用省部共建国家重点实验室，兰州 730050) 摘要：用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上沉积了钙钛矿型LaMnO3氧化物薄膜，系统研究了热处理对LaMnO3薄膜材料的相结构、组织成分、表面形貌、电阻率等的影响。结果显示，热处理温度在700 ℃以下，LaMnO3为非晶态，而高于1 000 ℃时，LaMnO3组织开始分解，出现杂相；在800~900 ℃时，随着热处理温度和时间的变化，LaMnO3薄膜各性能也相应变化；而热处理参数为800 ℃/2 h时，钙钛矿型LaMnO3氧化物薄膜各性能显示最佳。 关键词：射频磁控溅射；钙钛矿型LaMnO3薄膜；热处理；电阻率 文献标志码：A 文章编号：1007-7545（2015）11-0000-00 Effect of Heat Treatment on Phase Structure, Composition and Resistivity of LaMnO3 Film XI Boa, ZHANG Guo-qinga, LUO Yong-chuna,b （. Department of Materials Science and Engineering; b. State Key Laboratory of Advanced Processing and Recycling of Nonferrous Metals, Lanzhou University of Technology, Lanzhou 730050, China） Abstracterovskite-type LaMnO3 oxide film was prepared by RF magnetron sputtering on Si(100) substrate. The effect of heat treatment on phase structure, composition, morphology, and resistivity was investigated. The results show that LaMnO3 organization starts to decompose when amorphous state annealed at 700 ℃ below and presents impurity phase when annealed at 1 000 ℃ above, while performance of LaMnO3 film changes with temperature and time when annealed at 800~900 ℃. Perovskite-type LaMnO3 oxide film shows the optimal performance when annealed at 800 ℃ for two hours. Key word：RF magnetron sputtering; perovskite-type LaMnO3 film; annealing; electrical resistivity 钙钛矿型氧化物材料因其自身特殊的结构稳定性[1]、A位与B位的可掺杂性[23]、良好的物理化学性能[4]和较好的电催化性[5]及巨磁阻效应[67]等而受到广泛关注，特别是近几年来，学者们对钙钛矿型氧化物(ABO3)在光催化[8,9]、燃料电池电极材料[10]和储能电极材料[11]等领域进行了大量的研究，并且获得了较好的成果钙钛矿型LaMnO3在以上领域均有所涉研究，但是其研究大多数以纳米粉体或其它形态为主，对具有大比表面积的纳米薄膜的研究很少，特别是使用磁控溅射技术制备LaMnO3纳米薄膜材料的研究尚未报道，而磁控溅射技术沉积的膜层具有致密均匀、附着良好、成分易控的特点。本文使用该技术在Si(100)衬底上制备了LaMnO3纳米薄膜材料，探讨了热处理对其结构、组织、形貌及电阻率的影响，并获得最佳热处理参数。 1 试验 1.1 薄膜的制备 按照镧、锰原子比11将高纯La2O3和Mn2O3粉体混合并充分研磨后装入直径51 mm的模具中，初步冷压制成胚体，然后经高温热压烧结成型，获得结构和成分合理的钙钛矿型LaMnO3氧化物块体，再经后续处理制成Φ50.8 mm×3 mm的靶材。采用射频磁控溅射设备在Si(100)衬底上沉积LaMnO3氧化物薄膜，制备参数：溅射功率120 W、背景真空度4.0×10-4 Pa、衬底温度300 ℃、沉积气压0.43 Pa。沉积完成后对薄膜进行热处理，热处理：箱式电阻炉，在空气气氛