第三章 半导体三极管及其放大电路.pptVIP

第三章 半导体三极管及其放大电路 本章主要内容： 1、熟悉三极管的结构、工作原理及特性曲线 2、三极管放大电路的三种组态。。。 3、放大电路的基本分析方法（图解法，小信号） 4、介绍三极管放大电路的工作点稳定问题 3.1.1 BJT的结构简介 三极管的不同封装形式 2. BJT结构简介 三极管的构造核心：一块有两个相互联系的PN结单晶；示意图如下 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 1. BJT内部载流子的传输过程 如果把两个PN结对接，能否实现电流放大作用？？ (2)三极管的电流放大系数 3.三极管的三种连接方式（三种组态） 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态。 =IC/IE ? VCB=const 小结 三极管（晶体管，BJT）是电流控制器件 三极管要实现放大作用，必须工作在放大区。 常见习题类型 三极管基础知识正确性的判断； 三极管工作状态的判断； 由管子的特性求解主要参数（例如给出一个输出特性曲线，求?值）。 例题 1，测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示，分析他们的类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。 判断依据： 1.在放大区，NPN管：VC?VBVE PNP管： VC?VBVE 2.硅管：VBE=0.7V 锗管：VBE=-0.2V 3.7V 3V 12V 11.3V 0V 12V 15V 14.8V 12V 硅管，NPN b e c 硅管，PNP b c e e b c 锗管，PNP 3.1.1 BJT的结构简介 3.1.2 BJT的电流分配与放大原理 3.1.3 BJT的特性曲线 3.1.4 BJT的主要参数 3.1 半导体三极管（BJT） (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 1. 分类： 按频率分有高频管、低频管 按功率分有小、中、大功率管 按材料分有硅管、锗管 按结构分有NPN型和PNP型 金属封装 塑料封装 大功率管 发射区 发射极，用E或e 表示（Emitter） 发射结(Je) 基极，用B或b表示（Base） 集电极，用C或c 表示（Collector） 集电区 基区 集电结(Jc) 结构及工作特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 两种类型的三极管 3. 两种BJT类型及其符号 4. BJT制造工艺：合金法、扩散法 正常放大时外加 偏置电压的要求 问：若为PNP管，图中电源极性如何？ 发射区向基区注入载流子 集电结应加反向电压（反向偏置） 发射结应加正向电压（正向偏置） 集电区从基区接受载流子 发射结正向偏置时形成的电流：IEN，IEP 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。 另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。 2. 电流分配关系 IC= ICN + ICBO IB= IBN -ICBO 有：IE=IB+ IC （1）三个电极电流之间的关系 IEP很小，忽略掉了 由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。 称为基极电流传输系数 由于集电结收集的电子流是发射结发射电子流的一部分，用一系数 表示，即： 或者表示成： ? 与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关， 一般 ? = 0.9?0.99 由以上分析有： 所以基极电流可以表示为发射极电流的其余部分： 由此可以得到集电极与基极电流的关系： 因 ≈1, 所以 ? 1 a ? 称为集电极电流放大系数 iE=iB+ iC iC=βiB iC=αiE 三极管各电极之间的关系： 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示; 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； BJT的三种组态 + - b c e 共射放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当VCE≥1V时，集电结进入反偏状态（∵ VCB= VCE–VBE