基于内聚力模型的insb面阵探测器失效分析 failure analysis of insb infrared detector based on czm.pdfVIP

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2017-08-23 发布于上海
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基于内聚力模型的insb面阵探测器失效分析 failure analysis of insb infrared detector based on czm.pdf

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基于内聚力模型的insb面阵探测器失效分析 failure analysis of insb infrared detector based on czm

第43卷第12期激光与红外 V01．43，No．12 2013年12月 LASER＆ INFRARED December，2013 文章编号：1001-5078(2013)12-1368-04 ·红外材料与器件· 基于内聚力模型的InSb面阵探测器失效分析贵磊，孟庆端，张立文，李鹏飞 (河南科技大学电子信息工程学院，河南洛阳471003) 摘要：基于内聚力模型，运用ANSYS仿真软件研究了InSb芯片在N电极附近的脱落和碎裂问题。模拟结果显示：在N电极区域，InSb芯片沿隔离沟槽存在明显的脱落趋势；为了解InSb 芯片碎裂失效分布状况，在InSb芯片中做切分处理，并在切分面上选取等间距内聚节点，得到了节点沿x轴方向的相对分离量，及相对分离量最大节点沿不同坐标轴的变化趋势。模拟结果中InSb芯片脱落失效区域和分离量较大的内聚节点所在位置与典型InSb焦平面探测器光学碎裂分布相吻合，这为后续研究InSb芯片中裂纹起源及扩展提供参考。关键词：内聚力模型；InSb芯片；失效；脱落和碎裂中图分类号：TN215文献标识码：A Failure ofInSbinfrareddetectorbasedonCZM analysis GUI Lei，MENG Li—wen，LI Qing—duan，ZHANGPeng—fei ofElectronicInformation ofScienceand (School 471003，China) EngineeringCollege，HenanUniversity Technology，Luoyang onCohesiveZone failure ofdelaminationandfractureofInSb a— Abstract：Based Model(CZM)，the chip problem roundNelectrodematerialsisstudied ANSYS．ThesimulationresultsshowthatInSb hasan byusing chip obviously of N materials distributionof InSb delaminationaroundelectrode the the tendency alonggroove．Tostudy fracture，the is somecohesivenodeswith areselectedin a— divided，and surfaces，relative chip equalstep segmentation separation theX—axisis thestrain ofnodewith ofrelative the long