脉冲激光晶化非晶硅薄膜的有限差分模拟 finite difference simulation of pulsed laser induced crvstallization 0f amorphous silicon thin film.pdfVIP

第20卷第7期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．20，No．7 POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jul．，2008 2008年7月 HIGH 文章编号： 1001—4322(2008)07—1100一04 脉冲激光晶化非晶硅薄膜的有限差分模拟’ 袁志军， 楼祺洪， 周 军， 董景星， 魏运荣， 王之江 (中国科学院上海光学精密机械研究所，上海201800) 摘 要： 根据热传导原理，建立了脉冲激光晶化非晶硅薄膜的理论模型。运用有限差分方法研究了不同 激光波长、能量密度等因素对薄膜温度变化及相变过程的影响。计算了不同波长激光器对厚度500nm非晶硅 晶化的阈值能量密度。结果发现，准分子晶化的阈值能量密度最低，但是在同样的能量密度卞，熔融深度却不 及使用更长波长的激光器。计算并分析了升高衬底温度对结晶速度和晶粒尺寸的影响，模拟结果较好地验证 了实验结论和规律。 关键词： 激光晶化； 非晶硅薄膜；