第二章 门电路(梁明理著电子线路课件).pptVIP

2.1.2三极管的开关特性及反相器 一、三极管开关特性 2.1.4 正负逻辑  在数字系统中，逻辑值是用逻辑电平表示的。若用逻辑高电平UOH表示逻辑“真”，用逻辑低电平UOL表示逻辑“假”，则称为正逻辑；反之，则称为负逻辑。本教材采用正逻辑。  当规定“真”记作“1”，“假”记作“0”时，正逻辑可描述为： 若UOH代表“1”，UOL代表“0”，则为正逻辑；反之，则为负逻辑。  UOH和UOL统称为逻辑电平，其值因逻辑器件内部结构不同而异(后述)。  UOH和UOL的差值(叫逻辑摆幅)愈大，则“１”和“0”的区别越明显，电路可靠性越高。  2.2.2TTL与非门的外特性及主要参数 2.3 CMOS逻辑门电路 2.4 逻辑门的接口电路 TTL电路是电流控制器件 CMOS电路是电压控制器件。  TTL电路的速度快， 传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS电路的速度慢， 传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。。  RL UCC 1. 集电极开路的与非门（OC门） 输入全1时，输出=0； 输入任0时，输出悬空 +5V F R2 R1 3k T2 R3 T1 T5 b1 c1 A B C 符号 应用时输出端要接一上拉负载电阻 RL 。 OC门可以实现“线与”功能。 UCC F1 F2 F3 F 分析：F1、F2、F3任一导通，则F=0。 F1、F2、F3全截止，则F=1 。 输出级 RL UCC RL T5 T5 T5 ?F=F1F2F3 2. 三态门 E— 控制端 +5V F R4 R2 R1 3k T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 b1 c1 A B D E 一、结构 +5V F R4 R2 R1 3k T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 b1 c1 A B D E 二、工作原理 (1) 控制端E=0时的工作情况： 0 1 截止 +5V F R4 R2 R1 3k T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 b1 c1 A B D E (2) 控制端E=1时的工作情况 1 0 导通 截止 截止 高阻态 A B F 符号 功能表 三、三态门的符号及功能表 A B F 符号 功能表 使能端高电平 起作用 使能端低电平 起作用 E1 E2 E3 公用总线 =０ =１ =０ 三态门主要作为TTL电路与总线间的接口电路。 四、三态门的用途 工作时，E1、E2、E3分时接入高电平。 总线是一种内部结构，它是cpu、内存、输入、输出设备传递信息的公用通道 前面介绍的TTL采用的都是双极型晶体管，两种载流子参与导电，称为双极型集成电路。 本节介绍只有一种载流子参与导电的单极型逻辑门电路-- MOS集成电路。 MOS集成电路主要包括NMOS、PMOS以及CMOS电路。电路具有以下特点：制造工艺简单、成品率高、功耗低、集成度高、抗干扰能力强，适合大规模集成电路。 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 MOS管的开关特性 （一）MOS管的基本开关电路 以增强型NMOS管基本开关电路为例 当uIUGS（TH）时，MOS管工作在截止区， 当uI UGS（TH） 时，沟道电阻变得很小， 我们可以将MOS管看作是一个电压控制的电子开关 T uI uO UDD RD D G S UGS(TH) UDS ID 0 UGS ID 0 输出为低电平，uO=UOL≈0V 输出即为高电平，uO=UOH≈UDD UGSUGS(TH) UGSUGS(TH) （二）MOS管的开关等效电路 截止时漏源间的内阻ROFF很大，可视为开路 C表示栅极的输入电容。数值约为几个皮法 因此这个电阻一般情况不能忽略不计 导通时漏源间的内阻RON约在1KΩ以内，且与UGS有关（ UGS ↑→RON↓ ） 开关电路的输出端不可避免地会带有一定的负载电容，所以在动态工作时，漏极电流ID和输出电压UO=UDS的变化会滞后于输入电压的变化，这一点和双极型三极管是相似的。 D G S C D G S C RON 导通时 截止时 UDS ID 0 UGSUGS(TH) UGS2 UGS2UGS1 UGS1 RON2 RON1 ROFF S D G ID UDS UGS 特性曲线越陡，表示RON越小 RON2RON1 CMOS反相器 PMOS NMOS 1. 输入低电平UIL = 0V: UGS1＜UT1 T1截止 |UGS2|＞UT2