江师大[徐师大]高电压技术复习.docVIP

1.电离的产生方式：（1）热电离（2）光电离（3）碰撞电离（4）分级电离 2.电子从电极表面逸出的方式：（1）正离子撞击阴极（2）光电子发射（3）强场发射（4）热电子发射 3.带电质点消失的方式：（1）带电质点受电场力的作用流入电极（2）带电质点的扩散（3）带电质点的复合 4.伏秒特性：一般用间隙上出现的电压最大值和间隙击穿时间的关系曲线来表示间隙的冲击绝缘特性，此曲线称间隙的伏秒特性曲线。 图 伏秒特性绘制方法 5.提高气体击穿电压的措施：（1）电极形状的改进（2）空间电荷对原电场的畸变作用（3）极不均匀场中屏障的采用（4）提高气体压力的作用（5）高真空和高电气强度气体SF6的采用 7.玻璃的介质损耗：电导损耗、松弛损耗和结构损耗。陶瓷的介质损耗：玻璃相中离子电导损耗、结构较松的多晶点阵结构引起的松弛损耗以及气隙中含水分引起的界面附加损耗。 8.固体电介质击穿：电介质在强电场下的电流密度按指数规律随电场强度增加而增加，当电场进一步增强到某个临界值时，电介质的电导突然剧增，电介质便由绝缘状态变为导电状态。 9.固体电介质的击穿形式：热击穿、电击穿和不均匀介质局部放电引起击穿 10.测量绝缘电阻能有效地发现下列缺陷：总体绝缘质量欠佳；绝缘介质受潮；两极间有贯穿性的导电通道；绝缘介质表面情况不良。测量绝缘电阻不能发现下列缺陷：绝缘介质中的局部缺陷，如非贯穿性的局部损伤、含有气泡、分层脱开等；绝缘介质的老化，因为已经老化的绝缘介质，其绝缘电阻还可能是相当高的。 6.极性液体介质： 11. 为什么能发现更多缺陷的原因：利用高压直流装置和微安表测量泄漏电流可使用较高的电压（10KV及以上），可以有效地发现一些尚未完全贯通的集中性缺陷。一方面加在被试品上的直流电压要比兆欧表的工作电压高的多，故能发现兆欧表所不能发现的某些缺陷；另一方面，这时施加在被试品上的直流电压是逐渐增大的，这样就可以在升压过程中监视泄漏电流的增长动向。 13.工频高电压的测量方法：用球隙或峰值电压表测量交流电压的峰值，用静电电压表测量交流电压的有效值，采用电容分压器配用低压仪表测量高压。 14.直流高压试验和交流耐压试验相比的特点：（1）直流下没有电容电流，要求电源容量很小，加上可用串级的方法产生高压直流，所以试验设备可以做得比较轻巧，适合于现场预防性试验的要求。（2）在试验时可以同时测量泄漏电流，由所得的“电压——电流”曲线能有效地显示绝缘材料内部的集中性缺陷或受潮，提供有关绝缘状态的补充信息。（3）直流耐压试验比之交流耐压试验能发现电机端部的绝缘缺陷。（4）在直流高压下，局部放电较弱，不会加快有机绝缘材料的分解或老化变质，在某种程度上带有非破坏性试验的性质。 15.波阻抗与电阻的区别：（1）波阻抗表示向同一方向传播的电压波和电流波之间比值的大小；电磁波通过波阻抗为Z的无损线路时，其能量以电磁能的形式储存与周围介质中，而不像电阻那样被消耗掉。（2）为了区别不同方向的行波，Z的前面应有正负号。（3）如果导线上有前行波，又有反行波，两波相遇时，总电压和总电流的比值不再等于波阻抗。（4）波阻抗的数值Z只与导线单位长度的电感L0和电容C0有关，而与线路长度无关。 12.西林电桥测量法的基本原理： 图中，Zx为AC段阻抗，即是Cx与Rx；同理，Zn为CB段阻抗，既是CN；Z3与Z4则分别指AD和BD段阻抗。Cx，Rx为被测试样的等效并联电容与电阻，R3，R4表示电阻比例臂，CN为平衡试样电容Cx的标准，C4为平衡损耗角正切的可变电容。根据电容平衡原理，ZxZ4=ZNZ3 ① 从图中得：1/Zx=1/Rx+jωCx Zn=1/jωCN Z3=R3 1/Z4=1/R4+jωC4 ② 将式②代入式①，再将实部与虚部分别列出等式，解所得方程式，得： Cx=(R4/R3)* CN*（1/（1+tan2δx） 标注：是tan的2次方 tanδx=ωC4R4 式中 tanδx——试样的损耗角正切，tanδx=（1/ω）CxRx 当tanδx0.1时，试样电容可近似地按下式计算： Cx=(R4/R3) CN 因此，当桥臂电阻R3、R4和电容CN、C4已知时就可以求得试样电容和损耗角正切，计算出Cx后，根据试样与电极的尺寸再计算其相对介电常数。 如果被试品用串联等效电路表示，也可得出同样的结果。 16.前行波与反行波的证明: 已知u（x，t）=uf(t – x/v)+ub（t + x/v）电压的第一个分量uf(t – x/v)。设任意波形的电压波uf( t – x/v)沿着线路x传播，如果所示，假定当t=t1时刻线路上任意位置x1点的电压值为ua，当时间t=t2时刻是（t2t1），电压值为ua的点到达x2，则应满足 t1-