模拟电子线路(陆秀令 韩清涛).ppt

+ – vbe + – vce b c e ? ib rbe ib ic (b) – — ? ?r很小，rbeib ?rvce ?可忽略urvce ? 输出端接Rc, 而Rcrce. ?可忽略rce的影响。 可画成简化电路如图 (b) 满足以下条件： + – vbe + – vce b c e rce ? ib rbe ?rvce + – ib ic (a) 图3－21 — §1.4 场效应管 一、JFET的结构和工作原理 1. 结构、符号 g s d (b) 图4－1 P+ s g d N N P+ (a) 源极 漏极 栅极 图4－2 箭头表示PN结方向（P?N） N+ s g d P P N+ (a) 源极 漏极 栅极 g s d (b) 2. 工作原理（以N沟道管为例） ? 令vDS=0，看耗尽层的变化即沟道的宽窄 在g和s（PN结）间加一反偏vGG，即vGS为负值。 | vGS|?，耗尽层均匀增加，沟道均匀变窄，见图4－3。 vGS P+ s g d N N P+ 图4－3 | vGS|?? ， vGS= VP。沟道被夹断。见图4－4。 VP：夹断电压 图4－4 耗尽层 vGS P+ s g d N P+ vDS g 耗尽层 iD?0 即使加vDS， iD亦为0。 ? 令vGS=0，看iD和vDS的关系 P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD= 0 图4－5 (a) a. vDS=0， iD=0 见(a)图 b. vDS?，沟道电场强 度?（以这为主） ? iD? 但从源极到漏极，产生一个沿沟道的电位梯度，使加在PN结上的反偏由靠近源极的o到vDS。因此靠漏极 耗尽层宽，靠源极耗尽层窄，沟道成楔形。见(b)图。 P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD迅速增大 VDS 图4－5 (b) c. vDS?? ，两边耗尽层在A点相遇，称为预夹断， 此时g点和A点间电压为VP。即 vGS – vDS = VP 见(c)图。 （此后G与沟道中哪点电位差为VP。即某点PN结所加反偏为|VP|：哪点被夹断） P+ s g d N P+ g 耗尽层 iD趋于饱和 VDS 耗尽层 A 图4－5 (c) 3. 符号 用2CW，2DW命名 + － 例2－4设硅稳压管DZ1、 DZ2的稳定电压分别为5V、10V，又已知DZ1、 DZ2正向压降为0.7V，求V0 解：(a) DZ1、 DZ2工作在反向击穿区 ? V0 = 5 +10 =15V (b) DZ1、 DZ2工作在正向导通区 ? V0 = 0.7 + 0.7 =1.4V DZ1 DZ2 + ? 25V 1K V0 (a) DZ1 DZ2 + ? 25V 1K V0 (b) (恒压降模型) §1.3 晶体三极管 1.3.1 晶体三极管的结构和电路符号 图3－1 3AX22 低频锗 3AD6 低频大功率管 3DG6 高频硅 图3－2 b e c N 集电区 N 发射区 P 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 三区两结三极 下图是NPN管的结构及符号 图3－3 b e c P 集电区 P 发射区 N 基区 e b c 集电结 发射结 集电极 发射极 基极 PNP管的结构及符号如下： 符号中的箭头表示BJT导通时的电流方向 1.3.2 三极管的放大原理 放大的条件： 内部条件： 发射区掺杂浓度高； 基区薄且掺杂浓度低。 外部条件： 发射结正偏； 集电结反偏。 1. BJT内部载流子的传输 发射结正偏：空间电荷区变窄，利于发射区多子扩散， IE VCC外电场： 吸引从发射区扩散到基区的电子流 Inc N N P Je Jc V0?VEE V0+VCC b VEE IB e IE c VCC IC 电子流 ICBO Inc 集电结反偏：空间电荷区变宽,利于集电区少子漂移 ICBO 发射区电子流与基区少子形成复合电流： IB 图3－5 IB b VEE VCC e c IE IC N N P 电子流 ICBO InC 2. 电流分配关系 一个三极管制定后，发射区发射的电子传输到集电结所占比例一定，这个比例系数用?表示，称为共基极电流放大系数。 ? ? ?代入? 通常忽略 ICBO ?一般为 0.9 ~ 0.99 假设? =0.99，则发射100个电子，扩散99个，复合1个。 3. 共发射极连接方式 ? BJT的三种连接方式 a. 共基极连接 信号从e极输入，从集电极c输出。 图3－6 b. 共发射极连接：信