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SEM简介
北儒精密股份有限公司 BAY ZU PRECISION CO., LTD. 研發處 SEM分析儀器簡介 Outline SEM原理 SEM總類 SEM分析注意事項 FE-SEM SEM構造 電子束激發薄膜可能情況 入射電子 X光 可見光 二次電子 歐傑電子 X光 穿透電子 彈性 非彈性 試片所產生的訊號可分為 一、電子訊號 (1) 未散射電子 (2) 散射電子:彈性、非彈性 反射和穿透電 子及被吸收電子 (3) 激發電子:二次電子及歐傑 電子(Auger elector) 二、電磁波訊號 X光射線:特性及制動輻射 可見光:陰極發光 電動勢:由半導體中電子-電動 對產生引起。 二次電子(Secondary Electrons) 將傳導能帶(conduction band)的電子擊出,此即為二次電子,其能量約 50eV。 距離試片表面約50~500?深度範圍內所產生之二次電子,才有機會逃離試片表面而被偵測到。 二次電子產生的數量,會受到試片表面起伏狀況影響,所以二次電子影像可以觀察出試片表面之形貌特徵。 X光 可分析特徵X光的能量分佈,稱為EDS,或分析特徵X光的波長,稱為WDS。 EDS中約有100~200eV的解析度。 WDS中則有5~10eV的解析度。 De Broglie波動理論 電子的波長僅與加速電壓有關EX:在 10 KV 的加速電壓之下,電子的波長僅為0.12? 場發射:當在真空中的金屬表面受到108V/cm大小的電子加速電場時,會有可觀數量的電子發射出來。 λe=h / mv= h / (2qmV)1/2=12.2 / (V)1/2 (?) Outline SEM原理 SEM總類 SEM分析注意事項 鎢燈絲 以熱游離 (Thermionization) 式來發射電子 能量散佈為 2 eV 功函數約為4.5eV 鎢燈絲係一直徑約100μm,彎曲成V形的細線, 操作溫度約2700K,電流密度為1.75A/cm2 使用壽命約為40~80小時。 六硼化鑭(LaB6)燈絲 功函數為2.4eV 同樣的電流密度 LaB6只要在1500K即可達到,而且亮度更高 壽命便比鎢絲高出許多 能量散佈為 1 eV 因LaB6在加熱時活性很強,所以必須在較好的真空環境下操作,因此儀器的購置費用較高。 場發射電子槍 冷場發射式(cold field emission , FE),熱場發射式(thermal field emission ,TF),及蕭基發射式(Schottky emission ,SE) 電子能量散佈僅為 0.2 - 0.3 eV,所以目前市售的高解析度掃描式電子顯微鏡都採用場發射式電子槍,其解析度可高達 1nm 以下。 電子槍 電子源 Electron source size 20KV量度(A/cm2Sr) Life Time (hr) 操作溫度(℃) 所需真空(Torr) 發射電流(μA) 特性 鎢絲 20μm 5x104 50~100 2800 10-5 10 穩定,大電流 LaB6 10μm 3x105 300~500 1800 10-6 50 高解析時具大電流 FEG(cold) 5~10nm 107 1 year RT 10-8 50~100 高解析 冷場發射式 電子束直徑最小,亮度最高,因此影像解析度最優。能量散佈最小,故能改善在低電壓操作的效果。 為避免針尖被外來氣體吸附,而降低場發射電流,並使發射電流不穩定,冷場發射式電子槍必需在10-10 torr的真空度下操作。 熱場發式 在1800K溫度下操作,避免了大部份的氣體分子吸附在針尖表面,所以免除了針尖flashing的需要。 熱式能維持較佳的發射電流穩定度,並能在較差的真空度下(10-9 torr)操作。 雖然亮度與冷式相類似,但其電子能量散佈卻比冷式大3~5倍,影像解析度較差,通常較不常使用。 蕭基發射式 操作溫度為1800K,它係在鎢(100)單晶上鍍ZrO覆蓋層, ZrO將功函數從純鎢的4.5eV降至2.8eV,而外加高電場更使電位障壁變窄變低,使得電子很容易以熱能的方式跳過能障(並非穿隧效應),逃出針尖表面,所需真空度約10-8~10-9torr。其發射電流穩定度佳,而且發射的總電流也大。 設備需求 加速電壓15kV 3組離子泵浦(ion pump),在試片室中,配置了2組擴散泵浦(diffusion pump),在機體外,以1組機械泵浦負責粗抽,所以有6組大小不同的真空泵浦來達成超高真空的要求,另外在試片另有以液態氮冷卻的冷井(cold trap),協助保持試片室的真空度。 Ou
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