光刻工艺概述分析.ppt

* * 8.3 光刻技术 (3)粘结能力 光刻胶与衬底膜层（SiO2、Al等）的粘结能力直接影响光刻的质量。不同的衬底表面，光刻胶的粘结能力是不同的。负胶通常比正胶有更强的粘结能力。 * * 8.3 光刻技术 (4)敏感度 光刻胶的敏感度反应了光刻胶感光所必须的照射量，而照射量正比于光的强度和感光时间。光强度是和光源特定的波长有关系。不同光源（射线）对应的波长如下图所示。 波长越短的光源（射线）能量越高。要使光刻胶和光源“和谐” e=hc/λ * * 8.3 光刻技术 除了普通光源，经常还根据不同需要选择X射线或者电子束作为曝光光源。那么光刻胶灵敏性作为一个参数，使通过能够使基本的反应开始所需要的能量总和来衡量的，它的单位是mJ/平方厘米 负胶通常的曝光时间是5～15秒，而正胶则需要用上3～4倍的时间 * * 8.3 光刻技术 (5)工艺宽容度 整个光刻过程步骤之多，而且每一步骤都会影响最终的图形尺寸， 另外每一工艺步骤都有它的内部变异。不同的光刻胶对工艺变异的容忍性都不一样。那么，容忍性越高，在晶圆表面达到所需要尺寸的可能性就越大，或者说工艺的宽容度就越大。 * * 8.3 光刻技术 (6)针孔、玷污和颗粒 所谓针孔是指光刻胶层中尺寸非常小的空穴。可以是涂胶工艺中由环境中的微粒污染物造成的，也可以由光刻胶层结构上的空穴造成。针孔是有害的，因为它可以允许刻蚀剂渗过光刻胶层进而在晶圆表面层刻蚀除小孔。 除此之外，还应考虑其纯度。 * * 8.3 光刻技术 (7)阶梯覆盖度 随着晶圆表面上膜层的不断增加，表面 不再是完全平坦化的， 如图所示。 所以要求光刻 胶必须具有良 好的阶梯覆盖 特性。 * * 8.3 光刻技术 5. 正胶和负胶的比较 (1) 在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI IC和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。 * * (2)掩模版的改变 用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶圆表面光刻得到的尺寸是不一样的（见下图）由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。 * * 8.3 光刻技术 （a）亮场掩膜版和负胶组合 图形尺寸变小 （b）暗场掩膜版和正胶组合 图形尺寸变大 * * 8.3 光刻技术 用正胶和暗场掩膜版组合还可以在晶圆表面得到附加的针孔保护。如果是亮场掩膜版，大部分区域是空穴，这样，玻璃上的任何缺陷及污染物微粒都会影响光刻质量，若是暗场掩膜版则可以避免上述缺陷的产生，如图所示。 * * 8.3 光刻技术 正胶成本比负胶高，但良品率高； 负胶所用的显影剂容易得到，显影过程中图形尺寸相对稳定。 对于要求高的制作工艺选择正胶，而对于那些图形尺寸大于2微米的工艺还是选择负胶。图显示了两种类型光刻胶属性的比较。 * * * * 深紫外（DUV）光刻胶 一般来说，较小波长的光源可以取得较小的特征尺寸。 标准的I线光刻胶缺乏对更小波长的敏感性,不能制作0.25微米以下关键尺寸的器件。 20世纪80年代,IBM开发了化学放大光刻胶生产DRAM * * 主要步骤： 1、在酚醛树脂（一般为PHS或PHOST等聚乙烯）中添加保护团（常见为t-BOC），使其不溶于显影溶液，并且添加一种光酸产生剂（PAG），是一种感光剂 2、光酸产生剂在曝光时产生酸 3、曝光区产生的酸作为催化剂，在曝光后热烘的过程中移出保护团 4、不含保护团的光刻胶即可溶于显影液 * * Resist exposed to light dissolves in the developer chemical. Unexposed resist remains crosslinked and PAGs are inactive. Pre-exposure + CA photoresist Post-exposure + CA photoresis