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金属化-经典
集成电路工艺技术讲座
第八讲
金属化
（Metallization）
内容
• 金属化概论
• 金属化系统
• PVD形成金属膜－蒸发和溅射
• 平坦化和先进的互连工艺
金属化概论
金属化概论
• 互连线
• 金属和硅的接触
欧姆接触
Schottky 二极管
• IC对金属化的要求
互连线
• 时间常数RC延时
Poly L=1mm d=1um
ρ=1000μΩcm W
L
SiO2 do=0.5um
RC=Rs(L/w)(Lwεo/do) d
=Rs L2 εo/do do
=(ρ/d) (L2 εo/do)
=0.07ns
互连线
• CMOS倒相器（不考虑互连线延时）
特征尺寸 开关延时
3um 1ns
2um 0.5ns
1um 0.2ns
0.5um 0.1ns
• 互连线延时已与晶体管开关延时接近，不可忽
略。
金属半导体接触
qφm qχ qφs Ec qφm qχ qV =q(φ -φ) qφ
bi m s s
E
q (φm-χ) F Ec
E
Ev F
Ev
势垒高度qφ = q (φ -χ)
Bn m
金属半导体接触
金属功函数和势垒高度
1
Au
0.8 Ag Pt
) Pb
V W
e
( 0.6 Al
度
高
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