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InSb磁阻元件的特性及无接触旋转传感器.PDF
32 6 1999 11
JOU RN AL OF TIAN JIN UNIVERSITY Vol. 32 No. 6 Nov. 1999
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InSb
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张之圣 白花珍 陈金亭 陈智勇 王玉东
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介绍了半导体材料的霍尔效应及磁阻效应,讨论了磁阻元件的特性,找到了 InSb磁
阻特性曲线的拐点,提出旋 传感器的工作原理与结构设计,研制这种传感器的关键在于桥
式电路的设计.本文也给出测试结果和应用前景.
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