ICP刻蚀在加速度计制造中的应用的分析研究.pdfVIP

IcP刻蚀在加速度计制造中的应用研究 摘 要 得愈加重要，得到了广泛的应用。比喻的说，现在ICP刻蚀还处在青少年时期， 呈现出朝气蓬勃的势头，发展前景非常明朗，但是同时还不成熟，存在很多未 知角落需要等待研究和发掘。为了使ICP刻蚀得到更好的发展和更广阔的应用， 本文展开了研究。 Process)进行了详细周密的实验， 本文针对较为成熟的博世过程(Bosch 对几个重要的刻蚀参数都进行了研究分析。其中包括参与刻蚀的气体的流量、 反应腔室内的压强、反应腔室内的温度、基板偏压功率、线圈功率和平板功率 等参数。研究并绘制了这些参数对刻蚀速率，选择比，形貌等的影响，制作了 直观的折线图。用正交试验的方法获得了优化的刻蚀参数，并进行了实验。 蚀。Lag效应又称负载效应，较宽的沟槽刻蚀速率快于较窄沟槽刻蚀速率的现 象。由于博世过程的原理限制，侧壁上不可避免的会出现粗糙的细纹，需要一 些解决办法来减小这些细纹，是侧壁变得更加光滑。上述问题在本文中都提到 了解决方法。 与成熟的博世过程相比，还有一些应用比较广泛的ICP刻蚀工艺，这里面 Silicon 的佼佼者是低温硅刻蚀工艺(Cryogenic 获得比博世过程更光滑的侧壁，同时刻蚀速率相近。因为需要零下一百摄氏度 左右的低温，所以在应用中不及博世过程广泛。但是其在加工纳米尺度的器件 的突出表现，使其获得了新的机会。 ICP刻蚀的应用越来越广泛，比如加工纳米尺度的线条和沟槽，加工有一 展。 关键字：耦合等离子体刻蚀；微机械系统；加速度计 The ofICP onthe of Study Etching Accelerometer ABSTRACT Inrecent has years，inductiVelycoupledplasma(ICP)etchingtechnology become withthe ofMEMS．It increasinglyimportantdeVelopment alsohaVeawide of ICP isstillin aVibrant rangeapplications．But，the etching adolescence，showing momentum，the are atthesametimeis deVelopmentprospectsverybroadness，but not are unknowncornerneedtoresearchandexcavation．Inthe mature，theremany of andabroader ofICP targetachieVingbettefdeVelopment applicati6netching， launcheda andthisthesiswork． study BecauseoftheBoschProcessaremore 10t’sofdetail mature， hasbeen seVeral werestudiedand carefullyexperimen