试验14__MOS场效应晶体管KpF的.PPT

实验目的和意义 功率增益测试原理 功率增益测试原理 功率增益测试原理 噪声系数F的测试原理 噪声系数F的测试原理 噪声系数F的测试原理 噪声系数F的测试原理 实验主要步骤 实验主要步骤 实验主要步骤 实验主要步骤 实验主要步骤 实验数据处理与分析 实验思考题 实验参考资料 School of Microelectronics Xidian University School of Microelectronics Xidian University 实验14 MOS场效应晶体管Kp、F的测试 ☆ MOS场效应晶体管是一类应用广泛的半导体器件 ☆具有积体小，输入阻抗高，输入动态范围大，抗辐射能力强，低频噪声系 数小，热稳定性好等优点。 ☆制造工艺简单，集成度高，功耗小 ☆通过了解电容-电压法测量半导体中杂质分布基本原理；学习函数记录仪、 C-V测试仪的使用方法；学会制作肖特基结并用C-V法测量半导体中杂质分布。 ☆了解MOSFET的Kp、F的测试原理；掌握测定方法，观察Kp、F 随工作电 流、工作电压的变化关系。 ☆ MOSFET Kp的测试 功率增益是MOSFET的重要参数，是指放大器输出端信号功率与输入端信号 功率之比，其定义公式为： 式中：PO、Pi 分别为放大器输出，