2.8 ghz薄膜体声波谐振器的研究 study on 2.8 ghz thin film bulk acoustic resonator.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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2.8 ghz薄膜体声波谐振器的研究 study on 2.8 ghz thin film bulk acoustic resonator.pdf

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2.8 ghz薄膜体声波谐振器的研究 study on 2.8 ghz thin film bulk acoustic resonator

第32卷第1期压电与声光 V01．32NO．1 2010年2月 PIEZOELECTRICSACOUSToOPTICSFeb．20lO 文章编号：1004—2474(2010)Ol一0001—02 2．8GHz薄膜体声波谐振器的研究江洪敏，马晋毅，汤劲松，周勇，毛世平，于新晓，刘积学 (四川压电与声光技术研究所，重庆400060) 摘要：通过采用微机电系统(MEMS)和微声电子方法，研究了硅基片上横膈膜结构薄膜体声波谐振器 GHz，插入损耗IL=一3．7dB，并联谐振频 (FBAR)。器件的串联谐振频率^=2．75GHz，并联谐振频率^一2．8 率品质因子QD一260，有效机电耦合系数K：ff一4．5％。关键词：薄膜体声波谐振器；横膈膜；微机电系统中图分类号：TN015 文献标识码：A on GHzThinFilmBulkAcousticResonator 2．8 Study JlANG Xin-xiao，LIUJi’xue Yong，MAoShi-ping，YU Hong-min，MAJin-yi，TANGJin-song，ZHOU (SichuanInstituteofPiezoelectricand 400060，China) AcoustoopticTechnology。Chongqing Abstract：Athinfilmbulkacousticresonator(FBAR)fabricatedonSisubstratewithmembranestructureby MEMSand a resonant micro-electro-acousticwasstudied．Thetesteddevicehasseries technologies frequency{。of GHz fre— 2．75 anda resonant of2．8GHz．Theinsertionlossof一3．7dB，the resonant parallel frequencyfp paralleI the beenachieved． factor(Q)of260and efficientelectromechanicalfactorK知of4．5％have quencyquality coupling film Keywords：thinbulkacousticresonatorlmembrane；MEMS 薄膜体声波谐振器(FBAR)是利用在衬底(硅、 FBAR器件选用的材料和设计参数为：玻璃等)上制备的压电薄膜(AlN、ZnO等)换能器和(1)换能器孔径历100肛m。声反射结构共同作用，从而实现电学谐振的微波谐 (2)横膈膜孔径万120～150p．m。振器。在射频高端及微波频率(1．5～10GHz)范围 (3)横膈膜材料选择SiO：，厚度为1