等离子辅助化学气相沉积制备可延展的硅薄膜 stretchable si thin film prepared by pecvd.pdfVIP

第6期 微细加工技术 №．6 2007年12月 MICROFABRICATIONTECHNOLOGY Dec．，2007 文章编号：1003．8213(2007)06—0021．03 等离子辅助化学气相沉积制备可延展的硅薄膜 韩喻，谢凯 (国防科学技术大学材料工程与应用化学系，长沙410073) 摘要：利用等离子辅助化学气相沉积方法在单晶硅基底表面制备出可延展的硅薄膜。通过对薄膜 生长过程的观察，确定延展性是最终脆性硅薄膜生长的中间状态，实验证明，沉积层表现出的延展 性与螺旋带等柔性材料存在本质差别，需要小于临界厚度才能呈现柔性状态的机理并不适用，沉 积工艺导致的内部结构的差异才是根本原因。但沉积层中Si原子以何种晶格结构排列并且何以 导致如此强大的延展性，还有待进一步研究。 关键词：化学气相沉积；薄膜；硅；延展性 中图分类号：TN304．055文献标识码：A 体(4：1)，在常规的PECVD系统中进行，基底材料选 1 引言 择表面平整和刻蚀有方形凹槽的两种单晶硅片。薄 膜沉积工艺参数如下：沉积温度为室温一550℃，反 W一15 CVD方法制备柔性硅已经备受关注多年，柔性 应室压力为20Pa，射频功率2．5 W，沉积时 硅是柔性显示领域的首选材料之一，也有利用它卷 间0．5h～5 曲螺旋带【卜2J的报道，但其弯曲曲度还是受到限制， 镜观察沿基底晶面裂片后薄膜的截面形貌，测量膜 直到2007年初Illinois大学John Rogers教授等研究厚计算沉积速率。 人员制备出二维可延展硅薄膜【3J，其二维延展特性 才得以体现，应用范围也拓展到覆于球体或不规则 3结果与讨论 表面，可用于光学探测电子眼及传感器等领域。沉 积硅膜延展特性的机理目前尚无定论，只是在对柔 为研究硅膜沉积的过程，在不同的沉积时间下 性硅卷曲螺旋带进行研究时曾提及…，即沉积层的 进行了取样观察。室温条件下反应室压力为20Pa， 厚度需小于临界厚度，薄膜晶格不匹配产生的内部 射频功率为5w，混合气体流量为标准状况下 应力才可维持在可卷曲的柔性状态。在以前针对 20mL／min，沉积不同时间后样品截面比较如图1所 PECVD工艺开展研究¨J时曾多次观察到单晶硅基 示。图lc中沉积2h后样品截面明显与其它不同， 底表面沉积硅膜的拉伸和折叠等延展特性，上述柔 该样品沉积薄膜断裂后包覆了部分截面，并发生卷 性机理的论断并不适用，本文将对该现象进行说明， 曲。对对应的另一半裂片截面进行观察发现同样存 并通过对薄膜生长过程进行取样观察，并就其延展 在类似现象，整个沉积过程在室温下进行，且未经过 特性的形成进行了初步探讨。 退火工艺，排除了沉积层与基底热膨胀不均的可能 2实验 性。而图1b和图1d的基底和沉积层断裂面清晰，