低功耗cmos低噪声放大器的分析与设计 analysis and design of low-power cmos lna.pdfVIP

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2017-08-25 发布于上海
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低功耗cmos低噪声放大器的分析与设计 analysis and design of low-power cmos lna

第40卷第2期微电子学 V01．40，No．2 2010年4月 Microelectronics Apr．2010 低功耗CMOS低噪声放大器的分析与设计刘高辉，张金灿 (西安理工大学电子工程系，西安710048) 摘要：基于TSMC0．18“mCMOS工艺，设计了一种低功耗约束下的CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比，该电路在共源晶体管的栅源间并联一个电容，以优化噪声；并引入一个电感，与级问寄生电容谐振，以提高增益；通过减小晶体管的尺寸，实现了低功耗。模拟结果表 dB，直流功耗小于2mw。明，在2．45 dB，噪声系数小于1 GHz工作频率下，增益大于14 关键词：低噪声放大器；CMOS；模拟集成电路中图分类号：TN722．3 文献标识码：A CMOSLNA and ofLow—Power Design Analysis LIU incan Gaohui。ZHANGJ 710048，P．R．China) (Dept．ofElectronicEngineering，Xi’anUniversityofTechnology，Xi’an was basedonTSMC’S CMOS thiscircuit， Abstract：ACMOSLNA technology．In low-power designed 0．18,um a wasinsertedbetweenandsourceofcommon-sourcetransistortO noise anindue‘ capacitor gate optimizefigure，and with wasintroducedtO was torresonance improvegain．Andlow-powerconsumption inter-stageparasiticcapacitor realized transistorsize．Simulationresultsindicated at2．45GHz，thecircuitachieveda byreducing that，operating above14dBandanoise below1dBwithaDC lessthan2mW． gain figure power words：LNAt IC Key CMOS；Analog EEACC：1220；2570D 工艺实现的可行性。 1 引言便携式无线通信设备的飞速发展，对