模拟cmos集成电路设计(拉扎维)第十章稳定性与频率补偿.pptVIP

1 1 西电微电子：模拟集成电路设计 两级运放的Miller补偿 Miller Effect Ceq = CE + (1 + Av 2 )CC f pE = ≈ 2πRout [CE + (1 + Av 2 )CC ] 2πAv 2 Rout CC f pE为第一个极点 Stability Ch. 10 # 32 Vin ? V1 Vout V1 RL 1 CC 西电微电子：模拟集成电路设计 Miller补偿的推导（1） 为描述简便，下面推导中CC已包含CGD 9 = sCEV1 + sCC (V1 ? Vout ) 式(1) RS sCC (V1 ? Vout ) ? g m9V1 = + sCLVout 式(2) RL 由式(1)Vin = (1 + sRS CE + sRS CC )V1 ? sRS CCVout 由式(2)V1 = Vout + sCL + sCC sCC ? g m9 Vin Vout = (1 + sRS CE + sRS CC ) 1 RL + sCL + sCC sCC ? g m9 ? sRS CC ∴ Vout Vin = ? g m 9 RL (1 ? s ) g m9 1 + s( RS CE + RS CC + RL CL + RLCC + g m9 RL RS CC ) + s 2 RL RS (CE CL + CE CC + CC CL ) Stability Ch. 10 # 33 CC 1 1 ≈ ?1 + ?CL g g ? ? 西电微电子：模拟集成电路设计 Miller补偿的推导（2） Vout Vin = ? g m9 RL (1 ? s ) g m9 1 + s( RS CE + RS CC + RL CL + RLCC + g m9 RL RS CC ) + s 2 RL RS (CE CL + CE CC + CC CL ) 若ω p 2 ω p1 则ω p1 ≈ ≈ RS CE + RS CC + RL CL + RL CC + g m9 RL RS CC g m9 RL RS CC (当g m9 RL 1) ω p 2 ≈ 1 g m9CC RL RS (CE CL + CE CC + CC CL )ω p1 (CE CL + CE CC + CC CL ) (当g m 9 RL 1) 结论：g m 9 RL 1并且CL CE、CC时 ω p1 ≈ 1 RS Av 2CC 、ω p 2 ≈ g m 9 ? CE ? ? CC ? 、ωz ≈ m 9 。若CC CE，则ω p 2 ≈ m 9 CC CL Stability Ch. 10 # 34 西电微电子：模拟集成电路设计 勘误 ? 中文版公式10.23 Stability Ch. 10 # 35 西电微电子：模拟集成电路设计 Miller补偿前后的比较 Miller补偿之前 ω p1 ≈ 1 RS CE 、ω p 2 ≈ 1 RL CL V1 Miller补偿之后 ω p1 ≈ 1 RS Av 2CC 、ω p 2 ≈ (1 + g m 9 CE CC )CL 、ωz ≈ g m 9 CC Stability Ch. 10 # 36 西电微电子：模拟集成电路设计 Miller补偿的副作用：正零点（RHP） 传输函数的分子中包含(1 ? s / ωz ) 项， 表明ωz为正零点，位于右半平面， 也称RHP零点 f Z ( RHP) = g m 9 2πCC RHP零点使相位交点PX降低！！降低稳定性 Stability Ch. 10 # 37 西电微电子：模拟集成电路设计 负零点与正零点（RHP） Stabili