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高功率半导体激光器电压饱和特性与器件质量 junction voltage saturation and quality of high power semiconductor lasers
第35卷第9期 中 国 激 光 V01.35,NO.9
2008年9月 CHlNESE September,2008
J()URNAI。()FI。ASERS
346—04
文章编号:0258—7025(2008)09—1
高功率半导体激光器电压饱和特性与器件质量
石家纬 梁庆成 曹军胜 刘奎学 郭树旭 李红岩 胡贵军
(吉林大学电子科学与丁程学院。集成光电子旧家重点实验窄吉林大学实验医,吉林长春130012)
摘要 为实现对高功率半导体激光器快速、有效、无损的质蜃检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测
试及分析。结果表明高功率半导体激光器的结电压饱和特性与其质量和可靠性紧密相关。结电压饱和特性不好
的器件一·般都仃存某种缺陷,结电压饱和特性的差异超f{{~定范围的同种类器件一定足质量和可靠性差的器件。
因此.阈值处电导数曲线的下沉高度h值叮作为器件筛选的·个判据。用模拟测最的方法。对阵列器件和组成它
的单元器件的电压饱和特性的相关性进行了研究,阵列器件的电压饱和特性与组成它的单兀器件的一致性(均匀
件)紧街相火。均匀性小好的器件的电压饱和特性也不好。
关键词 激光器;叮靠性检测;导数技术;商功牢半导体激光器
中图分类号 TN248.4 文献标识码 A doi:10.3788/CJ1346
Junction Saturationand of
Voltage Quality
PowerSemiconductorLasers
High
Shiiawei Cao I。iuKuixue
J J
LiangQingchengunsheng
GuoShuxuI.i Hu
Guijun
Hongyan
ElectronicScienceand
(Collegeof Engieering,JilinUniversity,
National
Joint IntegratedOpto—Electronics,Jilin 130012,China)
Laboratoryfor University,Changchun,Jilin
AbstractTo thedifferent and laser
ofthe diodes and
distinguish reliabilityquality highpower facilely,efficiently
nondestructivelv.somelaserdiodedevicesweremeasuredandstudiedwithelectriealand
highpower optical
derivative re
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