高光束质量大功率半导体激光阵列的微通道热沉 microchannel heatsink of high beam quality semiconductor laser array.pdfVIP

下载本文档

6
0
约1.41万字
约 4页
2017-08-25 发布于上海
举报
版权申诉

高光束质量大功率半导体激光阵列的微通道热沉 microchannel heatsink of high beam quality semiconductor laser array.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

高光束质量大功率半导体激光阵列的微通道热沉 microchannel heatsink of high beam quality semiconductor laser array

第36卷第9期中国激光 V01．36。No．9 2009年9月 CHINESE OFLASERS September，2009 JOURNAL 文章编号：0258—7025(2009)09—2286—04 高光束质量大功率半导体激光阵列的微通道热沉尧舜丁鹏刘江曹银花王智勇 (北京工业大学激光工程研究院国家产学研激光技术中心，北京100022) 摘要针对现有高光束质量大功率半导体激光阵列内部发光单元条宽、填充因子不断减小，腔长不断增加的发展趋势所带来的热源分布及长度变化影响器件热阻的问题。利用分离热源边界条件结合商用计算流体力学(CFD)软件FLUENT进行数值计算，获得微通道热沉热阻随阵列器件发光单元条宽、空间位置变化关系以及不同阵列腔长对应的微通道优化长度。根据优化参数制备获得无氧铜微通道热沉，并对宽1cm，腔长1mm，条宽100“m，填充 mmX11mmX1．5 因子为25％的半导体激光阵列进行散热能力测试，冷却器外形尺寸27 mm。微通道热沉热阻 0．34 K／W。能够满足半导体激光阵列器件高功率集成输出的散热需求。关键词激光器；半导体激光阵列；微通道热沉；热阻；高光束质量中图分类号TN248．4文献标识码A doi：10．3788／Cj『2286 MicrochannelHeatsinkof Beam Semiconductor High Quality Laser Array YaoShun Liu CaoYinhua DingPeng Jiang WangZhiyong (NationalCenterLaser Laser of Technology，Instituteof Technology，BeijingUniversityofTechnology， 100022，China) Beijing Abstract heatsource onstructureofsemiconductorlaser is inthermal Separate profilebasing arrayapplied resistancecalculationofmicrochannelheatsinkas betweenemitter boundarycondition．Relationshipswidth．position andthermalresistanceare and ofmicrochannelatdifferentsemiconductorlaser presentedoptimizedlength arrays’ arealso numericalcalculation．Semiconductorlaser lmm cavitylength gottenthrough array，withcavitylength， emitterwidthand is onthe microchannelheatsinkan