功率mosfet并联均流仿真分析 simulation and analysis on balance current of parallel power mosfet.pdfVIP

2011牟第8期 中图分类号：TP391．9文献标识码：A 文章编号：1009—2552(2011)08一0025—04 功率MOSFET并联均流仿真分析 余 娟1，李晓强2，余向阳2 (1．陕西师范大学物理学与信息技术学院，西安710062；2．西安理工大学，西安710048) 摘要：研究多个功率MOSFET并联均流问题。由于市场上的MOSFET功率普遍较小，当电路 要求大电流时可将多个MOSFET并联，但一些因素会造成并联管电流分配不均从而导致管子损 坏。从器件参数、栅极驱动参数、电路布线三方面分析了各参数对并联功率MOSFET电流分配以及 功率损耗的影响，对各参数使用Pspiee软件进行了仿真并提出了相应的均流措施，通过仿真结果进 行对比，结果验证了均流措施的有效性。仿真方法和结论对实际应用有一定的参考价值。 关键词：功率MOSFET；并联；均流；仿真 Simulationand onbalancecurrentof MOSFET analysis parallelpower YU Juanl，LI Xiao-qian92，YUXiang-yan92 of Normal (1．School University，Xi’觚710062，China； PhysicsInformationTechnology，Shanxi of Technology，Xi’距710048，C址噙) 2．Xi’姐University to Panbe of order the totolerances Abstract：In current．MOSFETparalleled．Due semiconductors， enlarge mechanical totalloadcurrentisnotshared between gate-drive，andparameters，the equally paralleled MOSFETs．Themethodsto balancedcurrentare and result the achieving presentedsimulated，theproves ofmethods．Simulationmethodandresult havesomerefereilcevaluefor validity experiments practical applications． Keywords：powerMOSFET；paralleling；balancecurrent；simulation 0 引言 动态均流。静态电流是指功率MOSFET已经结束 其开通过程并进入稳定导通的工作状态时的电流； 由于制造工艺所限，目前很难生产出高耐压大 动态电流指开通和关断器件时的电流。 电流的MOSFET器件，市场上的MOSFET功率普遍 以下参数不匹配将会