共射-共基电路的高频响应分析及pspice仿真 high-frequency response of the ce-cb amplifier and its pspice simulation.pdfVIP

山西电子技术 2011年第6期 应用实践 文章编号：1674-4578(2011)06—0003．03 共射一共基 电路的高频响应分析及 PSPICE仿真 任青莲，高文华 (太原科技大学 电子信息工程学院，山西 太原030024) 摘 要：对共射一共基组合放大电路的高频响应进行了详细的分析，给 出了上限截止频率的简单计算方法，从 密勒效应的角度对比了单管共射放大电路与共射一共基组合放大电路的上限截止频率，并利用PSPICE软件进行了 仿真，仿真结果也验证了理论分析的正确性。 关键词：共射-共基放大电路；高频响应；PSPICE仿真 中图分类号：TN72 文献标识码：A 很小，其分压作用可以忽略，但晶体管结电容的影响必须考 O 引言 虑。采用晶体管的高频小信号模型-混合参数 n形等效电 共射-共基组合放大电路具有较大的输入电阻、较大的 路，忽略 rbb2的影响，可得其高频等效电路如图2所示。 输出电阻，电压增益与单级共射电路接近，最突出的特点是 高频相应特性好 ，频带宽，因而获得广泛的应用 ]。本文将 通过详细的分析、计算 ，推导出共射一共基组合放大电路的高 频响应 ，并与单管共射电路进行了比较，最后通过实例进行 了PSPICE仿真验证。 图2 CE—CB放大电路的高频等效电路 l 共射一共基组合放大电路高频特性分析 图中R口=R 1／／R磁， =Rc／／RL。 图1是一个典型的共射-共基组合放大电路。其中晶体 根据密勒定理， 管VT1组成共射组态，VT2组成共基组态。 C =(1一K1)C 。． (1) (1—1 ： ． )c ． (2) K 式中，Kl用中频时的值代替， 文。= = 一 … 一 一 蹦 ×靠” p2 U U ㈨ ㈨ (3) 若 1=卢2，r6，。1=r6，，则 一一1。等效后，共射级的 输入端总电容 C1=C l+ =c 1+2C 1． (4) 由此可以看出，共射-共基组合电路，利用共基