功率器件igbt槽栅设计尺寸对直流参数影响的研究.pdfVIP

功率器件IGBT槽栅设计尺寸 对直流参数影响的研究 闻永祥，范伟宏，顾悦吉，刘琛，刘慧勇 001 (杭少w,l士兰集成电路有限公司技术中心，浙江杭州，318) 摘要：IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域，是功率器件的主流产品之一。 本文首先简要介绍IGBT及历代器件工艺的发展，提出了一种槽栅IGBT的工艺流程，并研究了其槽栅设 计尺寸对器件主要直流参数的影响。 关键词：绝缘栅晶体管；工艺；槽栅尺寸；直流参数 Abstract：PowerIGBTsare usedduetoitsexcellentcharacteristicsinareassuchmotor widely drives，welding machinesandswitch ofIGBTsandthe areintroduced powersupplies．Thedevelopment processingtechnologies trenchIGBT flowis IGBTtrenchsizeisstudiedwithitsDC briefly，then process presented．The parameters． Key size；DC word：IGBT；process：trenchparameter 1 引言 此IGBT在电机驱动、电焊机、电磁炉、UPS电源、轨 道电车等方面有很广泛的应用。 IGBT(InsulatedGate Transistor，绝缘栅 Bipolar 双极型晶体管)是近年来电力电子领域中最令人注 的发展过程中，主要的研究课题是改善饱和电压和 目及发展最快的一种新型电力电子器件，它与 开关特性的折衷关系。第一代IGBT采用了功率 VDMOS的差别是将双极器件的电导调制效应引入 氧化物一半导体)平面穿通(门)型工艺【11，第二代 到VDMOS的高阻厚外延N一区，降低了外延层的电 阻率，从而减小了器件的导通电阻。IGBT具有栅极IGBT仍是平面穿通型，关键技术是寻求图形或硅片 高输入阻抗，并且开通和关断时具有较宽的安全工 改善了器件的导通特性和电流密度；第四代IGBT 作区。IGBT应用的范围基本上替代了传统的SCR、 采用了非穿通型，即NFF型IGBT，采用高电阻率的 GTO以及BJT等器件。由于IGBT器件具有大电流、 驱动功率小且驱动简单、开关速度高、饱和压降低、 区熔单晶替换外延片，使得IGBT的工作区几乎在 耐压高、高可靠性等一系列应用上的优点，并可将 全电流范围内都呈现正温度系数的特点；第五代 IGBT是电场截止Field IGBT芯片、FRD二极管芯片、控制和驱动电路芯片、 Stop(FS)型，吸收了阴型 过压、过流、过热、欠压、箝位电路以及自诊断电路芯 和NPT型两类器件的优点，采用FS结构可使IGBT V～1．5V 器件在导通状态下的饱和压降降低到1．3 片等封装在同一智能化的IGBT模块(IPM)中，因 万方数据