MLCC气特性与选型指导.doc

众所周知，MLCC-英文全称 multi-layer ceramic capacitor，就是我们常说的片式多层陶瓷电容器，其以工作温度范围宽,耐高压，微小型化，片式化适合自动化贴装等优点，广泛应用于工业，医疗，通信，航空航天，军工等领域，在电子产品日益小型化及多功能化的趋势下，MLCC成为电容器产业的主流产品。 目前全球主要MLCC厂家主要分布于日本，欧美，韩国和台湾，其中日本企业包括村田，TDK，太阳诱电和日本京瓷等。欧美主要由Syfer Novacap johson等，韩国三星、台湾国巨及华新近年来不断扩大生产规模，也是全球主要的?MLCC 生产商。而国内的厂家则主要风华高科，深圳宇阳，潮州三环等。日本，等地的部分MLCC厂家也在国内成立了独资或合资企业如，厦门-?TDK?、天津-三星、上海-京瓷、苏州-国巨、Syfer、无锡-村田等。 鉴于MLCC应用领域越来越广泛,生产厂家及产品系列的越发多样性.其可靠性,选型及应用的问题受到设计工程师及生产工艺人员的重视,因此对MLCC特性和生产工艺的深刻认识,是正确用MLCC的必要条件. 多层陶瓷电容器的基本结构如图所示,电容量由C=NKA/T计算出（N为层数，K为介电常数，A为正对面积，T是两极板间距）,从理论上来讲电极层数越多,介质常数和相对电极覆盖面积越大,电极间距越小,所制作出的容量则越大,然而, MLCC的工艺及介质的非理想特性决定了电容在 容量,体积,耐压强度间的相互制约关系.“0”的个数单位为pF,如1μF=1000nF=1000000pF 简化表示为105而小于10pF容值表示在在整数后加“R或P”如：4.7pF=4R7或4p7. 陶瓷介质作为MLCC组成部分之一,对电容的相关参数有着重要影响,国际上一般以陶瓷介质的温度系数作为主要分类依据.1类陶瓷,EIA称之为C0G或NP0. 工作温度范围-55～+125℃，容量变化不超过±30ppm/ ℃.电容温度变化时，容值很稳定. 二类陶瓷则包括了我们常见的X7R,Z5U,Y5V,这些标称的依据是根据右图的表格所制定的,如X7R表示温度下限为-55℃;上限温度为+125℃,在工作温度范围内,容量最大变化为+-15%.右下图显示了不同介质的温度特性曲线。 介电常数就是我们常说的K值，决定电容极板间有介质储存的静电能数量之比，K值越高，容量就越大，然而相应的其稳定性能、可靠性能和耐用性便越差。现代多层陶瓷电容常用介质的介电常数分布C0G或NP0（超稳定）K值10到100 X7R（稳定）K值2000到4000Y5V或Z5U（一般用途）K值5000-25000同样的尺寸和耐压下,介质强度（抗电强度） 介质所能承受的电压值，主要由介质组成成分和电极间距离决定。陶瓷电容中电压梯度过高将导致介质失去绝缘性质，引起电容失效。当外电场强度达到某一临界值时，材料晶体点阵中的电子克服束缚产生出足夠多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应，进而击穿介质，使其失效。除此之外，介质失效还有另一种模式，高压负荷下产生的热量会使介质材料的电阻率降低到某一程度，如果在这个程度上延续足夠长的时间，将会在介质最薄弱的部位上产生漏电流同比材料K值越低，工作温度，湿度和气压以及电容端头之间距等环境条件影响介质电压击穿特性.介质强度随温度提高而下降。材料的制作工艺好坏对介质强度也有重要影响。介质损耗介质材料都有自己的损耗，绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗即电容全部能量中变成热量在电容内消耗的部分，这一损耗效果使电容发热，在极端情况下发生热击穿。在频率比较低的情况下，介质吸收所产生的损耗很低，然而当频率很高时，介质损耗将随频率升绝缘电阻（IR）： 绝缘电阻表征的是介质材料在直流偏压梯度下抵抗漏电流的能力。陶瓷电容器的绝缘电阻 取决于介质材料配方、工艺过程(烧结)和测量时的温度。介质的绝缘电阻随温度的提高而下降，在常温（20℃）和在高温(125℃)测得到绝缘电阻数据比下降了一半。MLCC在生产时可能出现介质空洞、烧结纹裂、分层等缺陷。分层和空洞、裂纹为重要的MLCC内在缺陷,因此其生产工艺很大程度上决定了产品的可靠性, 传统的干法工艺源于二战期间的流延工艺技术,对陶瓷介质进行轧膜成型,印刷叠层,制造瓷介电容器,而湿法工艺是将陶瓷介质、金属内电极在浆料状态下交替印刷，其中陶瓷介质浆料经多次印刷形成介质保护层，达到设计尺寸后，再依次印刷金属内电极和介质层，如此反复印叠数百次，陶瓷介质膜与金属内电极膜结合成良好的独石结构。 比之传统干法工艺,湿法工艺中的介质层需要印刷数次至几十次，经过多次印叠，可以使每次印刷过程中介质膜层的微小缺陷得到弥补，提高陶瓷介质层的工艺质量。同时湿法印刷工艺所用介质浆料中的粘合剂及树脂含量大大低于ML