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Sputtering是通过RF Power或DC Power形成的Plasma内的具有高能量的Gas Ion撞击Target表面,粒子从Target表面射出并贴附到基板表面的过程。 一般情况在阴极镀膜的材料装在Target上，使用对装在Target上的材料特性没有影响的He，Ar等惰性气体作为工作气体把从Target射出的粒子镀到放在阳极上的Glass表面。 Sputter装备采用DC Power 溅射 如右图所示溅射Target作为阴极（Cathode 并在其上施加Negative Voltage。在真空室 内通入一定压力的Ar Gas，根据已设定好的 电场?在电场的作用下,电子被加速使Ar原子 离子化形成Glow Discharge。  刻蚀分为湿法刻蚀和干法刻蚀两种： 湿法刻蚀的特征 ① 通过PR Mask，化学药液去除薄膜形成PATTERN。 主要适用于GATE 、S/D、ITO PATTERN的形成。 ② 有利于良好的选择比和大面积上的刻蚀均匀度,生产性, 低价格。 ③ 所形成的PATTERN受Etching时间,Etchant构成/温度,工程条件 (Spray压力/流量,Dip Ratio等),PR PATTERN形成条件(PR 均匀涂布/粘 着,暴光量,显影时间,显影液清洗,Hard Bake等)的影响。 干法刻蚀的特征 利用真空气体和RF Power 生成的Gas Plasma反应产生原子和原子 团，该原子和原子团与淀积在基板上的物质反应生成挥发性物质。 Dry Etch 设备概要 新入社员TFT Array工程教育 Array生产技术部 苏顺康 2005.01.25 成膜 / Pattern工程详细图 (Deposition Patterning Process in Detail) 沉积 清洗 PR涂附 曝光 显影 刻蚀 PR剥离 检查 Wet Etch Dry Etch BOE OT TFT Array工程采用5MASK工艺在玻璃基板上制造出TFT电路。主要工程包括：簿膜（Thin Film）、光刻（Photo）、刻蚀（Etch）。 Array Process Photo Mask Light GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS FILM PHOTO RESIST Glass Cleaning Thin Film Dep. (Sputter, PECVD) Photoresist Coat (SlitSpin Coating) Mask Align, Exposure PR Development Etching (Wet/Dry Etch) Repeat Strip PR Array Process Flow (TFT) 1. GATE LINE DEFINE 2. ACTIVE LAYER 3. DATA LINE (SORUCE DRAIN) 4. VIA 5. ITO (PIXEL ELECTRODE) Array Process GATE MASK 工艺简介 BARE GLASS经过INITIALIZE CLEANING后，利用磁控溅射（SPUTTER）在金属表面形成一层均匀的金属薄膜；依次送往PHOTO工序进行涂胶﹑曝光和显影；送往WET ETCH（湿刻），将没有受到光刻胶保护的金属膜刻蚀掉，最后将GLASS上剩余的光刻胶（PR）剥离和进行后清洗，从而形成如右图所示的栅极（GATE）引线。 Array Process ACTIVE MASK 工艺简介 Gate MASK 工艺完成后，进入到ACTVIE LAYER MASK，经过沉积前的预清洗，利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）在玻璃衬底上分别沉积SiNx, a-Si和n+ a-Si三层薄膜；依次送往PHOTO工序进行涂胶﹑曝光和显影；送往DRY ETCH（干刻），将没有受到光刻胶保护的有源层膜刻蚀掉，最后将GLASS上剩余的光刻胶（PR）剥离和进行后清洗，从而形成如右图所示的红色Pattern即为有源层结构图案。 Array Process S/D即为源/漏数据线的简称，ACTVIE MASK 工艺完成后，同样经过预清洗，利用磁控溅射（SPUTTER）在玻璃衬底表面形成一层均匀的金属薄膜；依次送往PHOTO工序进行涂胶﹑曝光和显影；送往WET ETCH（湿刻），并将没有受到光刻胶保护的部分薄膜膜刻蚀掉，且最后将GLASS上剩余的光刻胶（PR）剥离和进行后清洗，从而形成如右图所示的数据（S/D）引线，蓝色膜层为S/D层。 S/D