场效应管和其参数符号意义.pdf

场效应管及其参数符号意义 场效应管（英缩写FET）是电压控制器件，它由输入电压来控制输出电流的变化。它具有输入阻抗高噪声低，动态范围大，温度系 数低等优点，因而广泛应用于各种电子线路中。供应信息 需求信息 一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N 沟道和P 沟道两种导电沟道。 1、结型场效应管（JFET ） （1）结构原理 它的结构及符号见图1。在N 型硅棒两端引出漏极D 和源极S 两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P 区，形成两 个PN 结。在P 区引出电极并连接起来，称为栅极Go 这样就构成了N 型沟道的场效应管 图1、N 沟道结构型场效应管的结构及符号 由于PN 结中的载流子已经耗尽，故PN 基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1 中可见，当漏极电源电压ED 一定时，如 果栅极电压越负，PN 结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID 就愈小；反之，如果栅极电 压没有那么负，则沟道变宽，ID 变大，所以用栅极电压EG 可以控制漏极电流ID 的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。 （2 ）特性曲线 1）转移特性 图2 （a ）给出了N 沟道结型场效应管的栅压漏流特性曲线，称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极 电压VGS=0 时的漏源电流。用IDSS 表示。VGS 变负时，ID 逐渐减小。ID 接近于零的栅极电压称为夹断电压，用VP 表示，在0 ≥VGS≥VP 的区段内，ID 与VGS 的关系可近似表示为： ID=IDSS （1-|VGS/VP|） 其跨导gm 为：gm= （△ID/△VGS）|VDS=常微（微欧）| 式中：△ID漏极电流增量（微安） △VGS栅源电压增量（伏） 图2、结型场效应管特性曲线 2 ）漏极特性（输出特性） 图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线，它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。 ①可变电阻区（图中I 区）在I 区里VDS 比较小，沟通电阻随栅压VGS 而改变，故称为可变电阻区。当栅压一定时，沟通电阻为 定值，ID 随VDS 近似线性增大，当VGS ＜VP 时，漏源极间电阻很大（关断）。IP=0；当VGS=0 时，漏源极间电阻很小（导通）， ID=IDSS。这一特性使场效应管具有开关作用。 ②恒流区（区中II 区）当漏极电压VDS 继续增大到VDS ＞|VP|时，漏极电流，IP 达到了饱和值后基本保持不变，这一区称为恒流 区或饱和区，在这里，对于不同的VGS 漏极特性曲线近似平行线，即ID 与VGS 成线性关系，故又称线性放大区。 ③击穿区（图中Ⅲ区）如果VDS 继续增加，以至超过了PN 结所能承受的电压而被击穿，漏极电流ID 突然增大，若不加限制措施， 管子就会烧坏。 2、绝缘栅场效应管 它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属氧化物半导体场效应管，简称MOS 场效应管。 （1）结构原理 它的结构、电极及符号见图3 所示，以一块P 型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N 型区，作为源极S 和漏极D。在 硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G （栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。 图3、N 沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符号 在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N 区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0 时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟 道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID 随着栅极电压的变化而变化。 场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之 后才有漏极电流的称为增强型。 （2 ）特性曲线 1）转移特性（栅压漏流特性） 图4 （a ）给出了N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，图中Vp 为夹断电压（栅源截止电压）；IDSS 为饱和漏电流。 图4 （b）给出了N 沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，图中Vr 为开启电压，当栅极电压超过VT 时，漏极电流才开始显著 增加。 2 ）漏极特性（输出特性） 图5 （a ）给出了N 沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。 图5(b)为N 沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线 。