IGBT内部电容测量-嘉兴斯达半导体股份有限公司.PDFVIP

嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 2010—12—24 IGBT 内部电容测量 编写：陈浩 审阅：Norman Day 简介 最近几年 IGBT 技术得到了全面快速的发展，IGBT 模块不断地被应用于各 个领域。各种性能问题也被高度关注，对于 IGBT 各种参数的研究也被提到了 一个新的高度。 本文主要侧重于 IGBT 内部的输入电容，输出电容，反向传输电容的测量。 输入电容 Cies 主要有内部自身结电容 Cgc 和 Cge 组成，它主要影响于 IGBT 开关断的速度，开关损耗等；输出电容 Coes 主要有内部自身结电容 Cgc 和 Cce 组成，它主要影响集电极发射极电压 Vce 的变化；反向传输电容 Cres 就 是内部自身结电容 Cgc，它主要影响门极驱动电压 Vge 和集电极发射极电压 Vce 的耦合关系。因此，为了更进一步地了解 IGBT 特性，对于 IGBT 内部的 输入电容 Cies，输出电容 Coes，反向传输电容 Cres 的准确测量是非常必要 的。下文主要介绍了对于输入电容 Cies，输出电容Coes，反向传输电容 Cres 测量的注意点，测量方法及原理分析，提供想要对 IGBT 内部电容进行较精确 量测工程人员一些参考。 测量注意点 1 电压和结电容的关系。模块的自生结电容值在不同偏置电压下是变化的， 如图一为某一结电容和偏置电压的关系，所以在测量结电容时，必须先确认其 所施加的偏置电压，而对于未加偏置电压 （电压处于悬浮状态下）直接测量是 没有任何参考意义的。 2 偏置电压测量准位的确定。因为从偏置电压到跨降到 IGBT 集电极—发 射极两端的电压一定大小的压降，所以必须去直接监看 AB 两点间的电压（如 图二），此测量值才是真正的偏置电压值。 1 Application Note AN7004 V0.0 嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 图一 结电容和偏置电压的关系 图二 IGBT 偏置电压的测量示意图 测量仪器 测 被 物 图三 测量物的等效电路图 2 Application Note AN7004 V0.0 嘉兴斯达半导体有限公司 STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. 3.测试频率选择。因为在测试电路中必然存在杂散电感与电容，一般如果 简化来看可以为如图三所示，一个 RLC 串联电路，稳态下电压和电流的关系 U 1 U U 1 θ R Lωj ∠ + + cos j sin ( ) θ+ θ R + Lω− j I Cωj ω 2π