.多谐振荡器原理与电路分析.pptVIP

多諧振盪器的結構 無穩態多諧振盪器(astable multivibrator) 單穩態多諧振盪器(monostable multivibrator) 雙穩態多諧振盪器(bistable multivibrator) 無穩態多諧振盪器 無穩態多諧振盪器是不需要外加觸發信號就能發生振盪，屬於自激式多諧振盪器。 單穩態多諧振盪器與雙穩態多諧振盪器是需要外加觸發信號才能發生振盪 無穩態多諧振盪器原理說明(1) RB1、RC2與CB1 形成電晶體Q1的順向電壓， RB2、RC1與CB2 形成電晶體Q2的順向電壓， 所以電晶體Q1、 Q2皆會導通。 無穩態多諧振盪器原理說明(2) 當電晶體Q1、 Q2皆導通時，基極電流會向CB1、 CB2充電。 假設β1是電晶體Q1的電流增益，β2是電晶體Q1的電流增益， 且β1＞β2 無穩態多諧振盪器原理說明(3) 此時IC1＞IC2→VC1＜VC2→VB1＞VB2→IB1＞IB2→IC1＞IC2 如此循環下去，終會讓電晶體Q1飽和，VCE1≒0V、電晶體Q2 截止VCE1≒VCC 無穩態多諧振盪器原理說明(4) 由於電晶體Q1飽和，即VCE1=0.2V，所以儲存在電容器CB2的電壓對於電晶體 Q2而言 ，仍然形成逆向偏壓，所以電晶體Q2會持續截止，即VCE2=VCC。 無穩態多諧振盪器原理說明(5) 由於電晶體Q2飽和，即VCE1=0V，所以儲存在電容器CB1的電壓對於電晶體 Q1而言 ，仍然形成逆向偏壓，所以電晶體Q1會持續截止，即VCE1=VCC。 無穩態多諧振盪器 結論(1) 當電源接上時的瞬間使電晶體Q1飽和， 　Q2截止 經過T1秒之後，使電晶體Q1截止， Q2飽和 無穩態多諧振盪器 結論(2) 再經過T2秒之後，又使電晶體Q1飽和 　　Q2截止 如此持續下去，產生振盪 無穩態多諧振盪器 週期公式 T=T1+T2=0.693*(RB2CB2+ RB1 CB1 ) ≒1.4RBCB (設RB1=RB2=RB，CB1=CB2=CB) 輸出頻率 F=1/T=1/1.4RBCB OPA組成無穩態多諧振盪器(1) OPA與R1、R2 組成史密特觸發器 （R1與R2形成正回授網路） 負回授網路則由R、C分壓所組成 OPA組成無穩態多諧振盪器(2) 剛接上電源時，電容器C未充電，所以OPA之反相輸入端電壓V-=VC=0V，故輸出電壓VO為正飽和電壓；此時輸出電壓經R開始C充電。 OPA組成無穩態多諧振盪器(3) 當電容電壓VC大於OPA非反相輸入端之電壓（V+） V+=VU=VO+（sat）*R2/R1+R2（上限觸發電壓）時， VO即迅速轉變為負飽和電壓，而此時之V+變為 V+=VL =VO-（sat）* R2/R1+R2（下限觸發電壓） 史密特觸發閘組成無穩態多諧振盪器(1) 當剛接上電源時，由於電容器C沒有充電，所以VC=0V，故VO=VOH。 輸出電壓（VOH）經R向C充電，電容電壓VC逐漸上升，當VC＞VU， 輸出轉態為VOL 史密特觸發閘組成無穩態多諧振盪器(2) 3.由於VC＞VOL ，所以電容器開始經R向輸出端放電，直到VC＜VL， .輸出又轉態為VOH。 4.如此(2), (3)向循環,週而復始. CMOS閘組成無穩態多諧振盪器(1) 剛接上電源VDD時，假設X點為”L”，Y點為”H”，Z點為”L”。 CMOS閘組成無穩態多諧振盪器(2) 由於Y點電壓為VDD，所以由Y點經電阻R向電容C充電，其路徑如圖 CMOS閘組成無穩態多諧振盪器(3-1) 等效電路 OPA組成無穩態多諧振盪器的波形 OPA組成無穩態多諧振盪器的公式 史密特觸發閘組成 無穩態多諧振盪器 數位IC式的無穩態(1) 史密特觸發閘組成無穩態多諧振盪器的波形 史密特觸發閘組成無穩態多諧振盪器的公式 對CMOS邏輯而言，其VOH=VDD，VOL=VSS CMOS閘組成無穩態多諧振盪器 數位IC式的無穩態(2) CMOS閘組成無穩態多諧振盪器波形 * * 這是重點部分 無穩態多諧振盪器 基本電路圖 電晶體式 當電源接上的瞬間 無穩態多諧振盪器的波形 無穩態多諧振盪器原理說明(3-1) 當電源接上時(1) 無穩態多諧振盪器原理說明(3-2) 當電源接上時(2) 當電晶體Q1飽和時 無穩態多諧振盪器原理說明(4-1) 而電容器CB2上的電壓會經過 電晶體Q1、電源VCC與RB2向CB2做逆向充電， 此時VB2↑→IB2↑→IC2↑→VC2↓→VB1↓→IB1↓→IC1↓→VC1↑→VB2↑， 如此循環下去，經過T1秒之後 無穩態多諧振盪器原理說