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第一章 气体分子动理论 证明题 证明：理想气体压强公式为 又因为 ，把此式代入上式得 五、计算题： 、解：（1）由理想气体的状态方程得： n=≈2.4×1025m-3 （2）ρ=mn （m:一个氧分子的质量） ρ=（μ/NA）n≈1.28kg/m3 (3)n 个分子占据一单位体积，所以每个分子平均占据1/n的立方空间，因此分子间的平均距离为（1/n）1/3≈3.47×10-9m 、解：（1）由 ，ρ=M/V得： μ=ρRT/P≈0.028（kg/mol） 由此判断该气体为氮气或者是一氧化碳 （2）=（3P/ρ）1/2≈493m/s (3)εt=≈5.56×10-21J εr=KT≈3.77×10-21J （4）1520J （5）1869.8J 、解：设使用前质量为M，则使用后为 则P1V= P2V= 所以T2= 1/v2== 第章 热力学基础 2、 过程 过程方程 吸收热量Q 对外作功A 内能的增量ΔE 等体 P/T=?C 0 等压 V/T=C 等温 ?PV=C 0 绝热 ?PVг=C 0 计算题： 1、解：(1)由CA过程为等容过程，则由得 Tc=75K 由BC过程为等压过程，则由得 TB=225K (2)AC：A=0J，， BC：A=-400J，， AB：A=1000J，， 2解： a—b: =2908.5(J) b—c: =1728(J) c—d: =-2908.5(J) d—a: =-1152(J) 所以： A=1728-1152=576(J) ==12.4% 第三章 静电场 ε，在球壳区域内作一半径为r的圆球面。 则点电荷Q在球面上一点处产生的场强大小为：； 球壳所带电荷在球面上一点处产生的场强大小为： 即 所以，球壳区域内任意一点的场强大小为： 即球壳区域内的场强的大小与r无关．四、计算题 解：(1)以圆柱体的中心轴线为轴线，取半径为r长为h的高斯面， 则当rR时 ， 由高斯定理得 得 则当rR时 ， 由高斯定理得 得 设圆柱表面处为零势面，则 、解：由题意及高斯定理得各处的电场强度的分布为 （1） （2） （3）将外球壳接地，则 而 、解：由题意得，以同轴电缆的中心轴线为轴线，取半径为r长为h的高斯面，由高斯定理得 （1） 2） （3） 故 、解：由题意得，以同轴电缆的中心轴线为轴线，取半径为r长为h的高斯面，由高斯定理得 ，而 则 （2）由 得 三、计算题 1、(1) 如图示，AB在O点产生的磁感应强度由毕－萨定律得: = 即： （2）当时， ，分析可知,两直导线在P点的磁场强度大小相等,方向相同,都为,故P点的磁场强度大小为,方向垂直纸面相里。 3、题目中所涉及到的同轴电缆产生的磁场具有轴对称性，利用环路定理求解各区域的磁感应强度，所作环路如图所示。 (1) rR1 (2) R1 r R2 (3) R2 r R3 (4) r R3 (5) B-r曲线 第章 电磁感应三、简答题 1、相同点：对放入其中的电荷有力的作用。 不同点：①静电场由静止的电荷产生，涡旋电场由变化的磁场产生。 ②静电场的环路定理，为无旋场， 涡旋电场的环路定理,为有旋场. ③静电场的高斯定理,为有源场， 涡旋电场的高斯定理，为无源场。 2、位移电流和传导电流的异同。 相同点：都能够产生磁场。 不同点：①产生的机制不同：传导电流由运动的电荷产生，位移电流由变化的磁场产生 ②传导电流可产生焦耳热，而位移电流不能产生焦耳热。 ③存在空间不同：传导电流存在于导体内，位移电流存在于介质中。 3、麦克斯韦方程组的积分形式如下： 四、计算题 1、题目中所涉及到的同轴电缆产生的磁场具有轴对称性，利用环路定理求解各区域的磁感应强度。 (1) 在rR1区域 在R1 r R2区域 = (2) 电缆单位长度的自感系数 ＝＝ 2、如图所示建立坐标轴，且l的方向为x轴的正方向。 则