内置延时高精度低功耗电压检测.PDFVIP

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2017-08-26 发布于天津
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内置延时高精度低功耗电压检测.PDF

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内置延时高精度低功耗电压检测.PDF

LN809 内置延时高精度低功耗电压检测 ■ 产品概述 ■ 用途 LN809 系列是为微处理器和电子系统提供低功耗电压  微处理器复位电路检测芯片，具高精度低温漂的特点。该系列产品检测电压基  记忆体电池备份电路本涵盖大部分电子产品的需求。低静态电流是其重要的优点。  电源上电复位电路产品系列中包含了CMOS 输出和漏端开路的 N 管输出。由  电源无效检测于内置延时，减少了应用电路中的外围器件。  系统电池寿命和充电电压监测  延迟电路 ■ 产品特点 ■ 封装  高精度： ± 1%，±2%  低功耗：小于1.5μA  SOT-23-3L  检测电压点：2.63V,2.93V,3.08V,4.0V,4.38V 和 4.63V  SOT-23-3B  工作范围： 0.7V ~6.0V  检测电压温度特性：±100ppm/℃(TYP.)  内置延时：典型值50ms,100ms,200ms,400ms 可选。  输出方式： N 管漏端开路或CMOS ■ 产品订购信息 LN809 ①②③④⑤⑥⑦ 编号表示符号描述 C CMOS 输出 ① 输出方式 N N管漏开路 26 2.63V 29 2.93V 30 3.08V ② ③ 检测电压 40 4.00V 43 4.38V 46 4.63V 1 70ms-150ms 2 330ms-500ms ④ 输出延时 4 150ms-270ms 5 30ms-80ms 1 ±1.0%