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工艺单
纳米加工平台工艺申请表 （2012年版）
批号:
申请人 申请人电话 申请人邮箱 申请人签字 付费人 课题编号 付费人邮箱 付费人签字 申请日期 所属单位 试验目的及说明 样品材料 样品尺寸 样品数量与编号 目的 序号 工艺名称 工艺要求及说明 日期 工艺记录和检测结果 工艺员 计价和确认 备注 1 清洗
八槽清洗机
HL-071004
手动 加工数量：
批次：
需清洗材料/尺寸/厚度：
使用清洗液（请选择）：1号液、2号液、硫酸双氧水、丙酮、异丙醇、乙醇
清洗方式： 月 日
开始时间：
完成时间： 本工艺总用时：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认： 2 匀胶
国产小匀胶机
SSE、
Track KW-4 加工数量：
衬底材料和尺寸：
光刻胶类型和厚度：
HDMS预处理（请选择）：需要；不需要
使用匀胶机类型： 月 日
开始时间：
完成时间： 光刻胶类型：
涂胶转速/时间：
匀胶次数：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认： 3 接触光刻
一楼MA6/BA6
二楼MA6/BA6
URE-2000/35
MJB3 加工数量：
衬底材料/尺寸/厚度：；
光刻胶类型和厚度：
光刻最小线宽：
套刻要求（请选择）：正/反面对准，
使用光刻机类型： 月 日
开始时间：
完成时间： 光刻胶类型：
前烘时间/温度：
曝光模式：
曝光功率/时间：
显影液类型/浓度/时间：
后烘时间/温度：
本工艺总用时：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认： 4 步进式光刻机
NSR1755i7B 加工数量：
衬底材料/尺寸/厚度： 2寸
光刻胶类型/厚度：
光刻最小线宽：
套刻精度： 月 日
开始时间：
完成时间： 光刻胶类型：
前烘时间/温度：
曝光光强/时间：
显影液类型/浓度/时间：
后烘时间/温度
本工艺总用时：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认： 5 电子束光刻
JBX-5500ZA 加工数量：
衬底材料/尺寸/厚度：
光刻胶类型/厚度：
光刻最小线宽：
套刻要求： 拼接要求： 月 日
开始时间：
完成时间： 光刻胶类型：
前烘时间/温度：
曝光时间：
显影液类型/浓度/时间：
后烘时间/温度
本工艺总用时：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认： 6 干法去胶
M4L
Branson S4100 加工数量：
材料和尺寸：
需去除光刻胶类型：
需去除胶厚：
去胶功率：
去胶机类型： 月 日
开始时间：
完成时间： 工作功率：
气体种类/流量：
时间： 本工艺总用时：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认： 7 晶片键合
CB6L 加工数量：
材料和尺寸：
键合类型：
键合套刻精度：
是否需要套刻（请选择）：是 /否 月 日
开始时间：
完成时间： 键合对数：
腔室气压：
键合压力：
键合温度：
键合时间/比例：
键合电压/电流
本工艺总用时：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认： 8 磁控溅射
LAB 18
FHR
国产 加工数量：
衬底材料和尺寸：
膜层材料/厚度：
厚度均匀性要求：
衬底加热温度：
工艺气体：
机台类型： 月 日
开始时间：
完成时间： 本底真空：
工作气压：
气体流量：
功率/电压/电流：
靶距离：
溅射各层材料/厚度：
本工艺总用时：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认： 9 电子束蒸发
ei-5z
EBE-09
Cooke 加工数量：
衬底材料和尺寸：
膜层材料和厚度：
厚度均匀性要求：
衬底温度：
机台类型： 月 日
开始时间：
完成时间： 本底真空：
工作气压：
蒸发功率/电压值：
电子束扫描速率：
衬底转速：
衬底温度：
靶距离：
蒸镀各层材料/厚度：
本工艺总用时：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认： 10 热蒸发
EVA-09-2 加工数量：
衬底材料和尺寸：
膜层材料和厚度：
厚度均匀性要求：
衬底温度：
机台类型： 月 日
开始时间：
完成时间： 本底真空：
工作气压：
蒸发功率/电压值：
靶距离：
衬底转速：
衬底温度：
蒸镀各层材料/厚度：
本工艺总用时：
本步工艺计价：
￥
工艺负责人确认：
工艺申请人确认： 11 PECVD
OXFORD 100 加工数量：
衬底材料和
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