直流电沉积法制备铁纳米线阵列及表征 preparation and characterization of fe nanowire arrays by dc electrodeposition method.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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直流电沉积法制备铁纳米线阵列及表征 preparation and characterization of fe nanowire arrays by dc electrodeposition method.pdf

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直流电沉积法制备铁纳米线阵列及表征 preparation and characterization of fe nanowire arrays by dc electrodeposition method

第29卷第5期电子元件与材料、，01．29No．5 2010 2010年5月 ELECTRoNICCoMPONENTSANDMATEmALS May 直流电沉积法制备铁纳米线阵列及表征任凌云L2，余希林1，王士财1，孙瑾1 (1．青岛大学化学化工与环境学院，山东青岛266071；2．潍坊科技学院，山东潍坊262700) 摘要：为了制备结构规整的Fe纳米线阵列，以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板，采用直流电沉积法制备了Fe 纳米线阵列，并利用sEM、TEM、xIm等测试手段对其微观形貌和结构进行了表征．结果表明：所得的Fe纳米线阵列结构规整、直径与模板孔径基本一致，约为250啪，是结构紧密的多晶体．关键词：AAO模板；DC电沉积法；Fe纳米线；阵列 doi：IO．396别．issn．100l-2028．2010．05．020 中图分类号：TBl83 文献标识码：A 文章编号：1001．2028(20lO)05．0064．03 nanowire DC andcharacteriZation0fFe arraysby Preparation method electrodeposition REN Jinl Lingyunl．2，SHEXilinl，WANGShicail，SUN Chemical (1．CoIlegeofchemis臼y蚰dEngineering觚dEnvir0舢e盹Qin酣a0univerSi吼Qingd∞266071，Sh柚dong Science锄d Provin∞，Chi舱；2．CollegeofWbi加19 Tecllllolo科Wjifang262700，ShandongPr0Vince，China) basedon Abstract：InOrdertoobtainFe wima DC method r脚10wi佗arraysregularstucture，theelec打odeposition and 鲫odicaluminum theFenanowire sn．uctu坨、Ⅳere morphoIogy oxide(AAO)tempIa呛w私瑚甜t0妇bricateam拶s．The．r ch锄cterizedmeansof andXRD resultsindicatethattheweIl-orderedFen觚owire by SEM，TEM techniques．The arrays 眦ob诅ined锄dmcirdi锄eterisabout250 isconsiStcntwiththediarneterof从0 result