直流电渗流在微通道内的控制与仿真研究 study on control and simulation of dc electroosmosis flow in microchannel.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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直流电渗流在微通道内的控制与仿真研究 study on control and simulation of dc electroosmosis flow in microchannel.pdf

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直流电渗流在微通道内的控制与仿真研究 study on control and simulation of dc electroosmosis flow in microchannel

MEMS器件与技术 MEMS DeviceTechnology 直流电渗流在微通道内的控制与仿真研究姜洪源，杨胡坤，王扬 (哈尔滨工业大学机电工程学院，哈尔滨 150001) 摘要：双电层是电渗流形成的关键因素，通过分析双电层的产生过程，解释了电渗流的形成机基本控制方程，并建立了与之相关的数学模型。通过对各控制方程边界条件的分析及合理简化，分别对zeta电势、外加垂直电场电势进行了求解和仿真，并且对zeta电势、外加垂直电场电势进行耦合求解，得到了直流电渗流在微通道内的流速表达式，并分析了微流体的特性参数、zeta 电势、外加垂直电场电势对电渗流流速的影响，结果显示通过增加zeta电势可以有效降低微通道两端施加的垂直电场电压。关键词：双电层；zeta电势；微流控；电渗流；仿真研究中图分类号：0351．2 文献标识码：A文章编号：1671—4776(2008)03—0166-04 onControlandSimulationofDCElectroosmosis Study FlowinMicrochannel Hongyuan，YangHukun，WangYang Jiang andElectrical Institute ofTechnology。Harbin (SchoolofMechanical Engineering,Harbin 150001，Ch／M) electricdoubleisthe factoroftheelectroosmosis Abstract：，rhe layer key flow(EOD．neforming oftheelectricdoublewag the mechanismoftheelectroosmosisflow process layeranalyzed，andforming was threebasiccontrol and equation，Laplace explained．’nle equations，Poisson—Bohzmannequation Navier-StokesforEOFwere andtherelativemathematicmodelswere equation explored presented． the forthethree andtheeffective zeta With of conditions analysisboundary equations simplicity，the solvedand thezeta andouterelectricfieldwere simulated．Throughcouplingsolving potential potential andtheouterelectric EOF