II-3调制技术.pptxVIP

（II-3） 调制技术;3.1 KDP电光强度调制;进入晶体后被分解为沿x?和y?方向的两个分量，其振幅和相位都相同，分别为 ;与之相应的输出光强为 调制器的透过率为;3.2 线性工作区;加入四分之一玻片后，总相位差为 调制的透过率可表示为 当 传递函数为调制信号的线性函数。 ;3.3 电光调制的电学性能;电光调制器的等效电路 Vs和Rs分别表示调制电压和调制电源内阻， C0为调制器的等效电容， Re和R分别为导线电阻和晶体的直流电阻。 由图可知，作用到晶体上的实际电压 ;;这种方法虽然能提高调制效率，可是谐振回路的带宽是有限的。 它的阻抗只在频率间隔的范围 内才比较高。因此，欲使调制波不发生畸变，其最大可容许调制带宽(即调制信号占据的频带宽度)必须小于 电光晶体调制称为“体调制器”，其缺点在于要给整个晶体施加外电场，要改变晶体的光学性能，需要加相当高的电压，从而使通过的光波受到调制。;3.4 光波导调制器;光波导调制器在高速光通信系统中具有重要应用。 铌酸锂晶体是目前最主要的电光晶体，基于石英晶体、聚合物的电光介质正在研发中。