中频磁控溅射aln薄膜的电学性能研究 electrical properties of aln films deposited by middle frequency magnetron sputtering.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.81万字
约 5页
2017-08-27 发布于上海
举报
版权申诉

中频磁控溅射aln薄膜的电学性能研究 electrical properties of aln films deposited by middle frequency magnetron sputtering.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

中频磁控溅射aln薄膜的电学性能研究 electrical properties of aln films deposited by middle frequency magnetron sputtering

第30卷第2期光电子旋术 v01．30No．2 0PTOELECTRONIC 2010年6月 TECHNOLOGY Jun．2010 中频磁控溅射AlN薄膜的电学性能研究’ 贾贞，翁卫祥，袁军林，张杰，李昱，郭太良 (福州大学物理与信息工程学院，福州350002) 摘要：利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能，并对该介质薄膜的导通机制进行了分析。结果表明，所制备的薄膜呈非晶态，5kw溅射功率下制备的薄膜具有较好的表面结构，并具有较高的耐击穿场强，约为2．1MV／cm；结合理论分析发现，AlN在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制：低场强区服从欧姆定律，随着场强升高，在不同的阶段分别以肖特基效应，普尔一弗兰凯尔效应和F—N效应为主。关键词：AlN薄膜；中频反应磁控溅射；电学性能；导通机制中图分类号：0484文献标识码：A 文章编号：1005—488X(2010)02～0122—05 EIectrical OfAINF-Ims Middle PrOperties DepOSitedby Sputtering FrequencyMagnetrOn Jia Jie，LiYu，Guo Zhen，WengWeixiang，YuanJunlin，Zhang Tailiang (C．0ZZPg已∥Pbsics口咒dJ咖门咒口fiD，z E，29i咒PP一咒g，F“z^o“U以iz圮i砂， F“2^D“，350002，C日D，) Abstract：Aluminumnitridethinfilmswere on substratesatdifferent deposited sput— glass reactiVe Thestructureandelectrical teringpowersbymedium—frequencymagnetronsputtering． ofAlNthinfilmswerecharacterized force and properties byX—raydiffraction，atomicmicroscopy electricalbreakdownfield measurement theconductionmechanismsofthese strength system，and filmswere resultindicatesthatthe thin dielectric The filmsare analyzed． prepared amorphous， andthethinfilm at5 kW hasbettersurfaceand