注碳外延硅的荧光特性研究 photoluminescence of c+-implanted epitaxial silicon.pdfVIP

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2017-08-27 发布于上海
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注碳外延硅的荧光特性研究 photoluminescence of c+-implanted epitaxial silicon.pdf

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注碳外延硅的荧光特性研究photoluminescenceofc-implantedepitaxialsilicon

SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vol. 27 No. 5 Oct. 2006 材料、结构及工艺注碳外延硅的荧光特性研究李玉国，孙钦军，曹玉萍，王强，王建波，张秋霞（山东师范大学半导体研究所，山东济南250014 ）摘要：研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50 keV ，剂量为2 X 10 16 cm - 2 的碳离子注入后的外延单晶硅片，在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提，并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。关键词：离子注入；电化学腐蚀；蓝光发射；发光中心中图分类号：TN304 . 12 文献标识码：A 文章编号：100 1 - 5868（2006 ）05 - 0560 - 03 Photoluminescence of C + -Implanted Epitaxial Silicon LI Yu-guo ，SUN Oin-jun ，CAO Yu-ping ，WANG Oiang ，WANG Jian-bo ，ZHANG Oiu-xia （Institute of Semiconductor，Shandong Normal University ，Ji nan 250014 ，CHN ） Abstract ： Photoiuminescence properties of epitaxiai siiicon impianted carbon after anneaied in hydrogen and anodization are measured . The carbon ions w ith 50 keV energy ，2 X 10 16 cm - 2 dose w ere impianted into epitaxiai siiicon w afer . Then the above sampies w ere anneaied in hydrogen and anodized . The resuits of photoiuminescence show that anodization condition is the premise of biue iuminescence ，at the different condition of which ，there w iii be magnificent transition of the spectra to their height and iocation . Excitation w aveiengths aiso infiuence the peak iocation of the spectra . Key words ： ion impiantation ；anodization ；biue iight emission ；iuminescent centre 1 引言同，可发出从红到紫的各种色光。近年来离子注入技术，因其与硅基的兼容，在硅基发光材料的制备中硅因其带隙特性，在光电子领域的应用受到限受到广泛重视。这种硅基发光材料不外乎因杂质能制，但由于硅工业在微电子领域的主导地位，人们迫［6 ］级的引入而发光，如Er 注硅；或因新物