材料物理性能(练习题非考试题,仅限参考).docxVIP

名词解释顺磁体：原子内部存在永久磁矩，无外磁场，材料无规则的热运动使得材料没有磁性，当外磁场作用，每个原子的磁矩比较规则取向，物质显示弱磁场，这样的磁体称顺磁体。铁磁体：在较弱的磁场内，铁磁体也能够获得强的磁化强度，而且在外磁场移去，材料保留强的磁性。原因是强的内部交换作用，材料内部有强的内部交换场，原子的磁矩平行取向，在物质内部形成磁畴，这样的磁体称铁磁体。金属热膨胀：物质的体积或长度随温度的升高而增大的现象。内耗：对固体材料内在的能量损耗称为内耗。磁致伸缩效应：铁磁体在磁场中被磁化时，其形状和尺寸都会发生变化的现象。磁畴：指在未加磁场时铁磁体内部已经磁化到饱和状态的小区域。软磁材料：软铁被磁化后，磁性容易消失，称为软磁材料。亚铁磁体：磁体中存在大小不等反平行的自旋磁矩，磁矩大小部分抵消，因而磁体仍然可以自发磁化，类似于铁磁体。这种磁体称为亚铁磁体。磁畴结构：磁畴的形状、尺寸、磁壁的类型与厚度的总称。磁滞回线：当磁化磁场作周期的变化时，表示铁磁体中的磁感应强度与磁场强度关系的一条闭合曲线。问答题对于一根具体的导线而言，影响它的导电因素有哪些？答：对于一根具体的导线而言，导电过程分两部分，包括最外电子脱离正离子实和之后的在晶格中运行，所以，影响导电性包括这两部分的影响因素。(1) 从导电定律关系式中可以看出一个电子的电荷是固定的数值，n有效决定于金属的晶体结构及能带结构，而电子自由运行时间或电子平均自由程则决定于在外电场作用下，电子运动过程中所受到的散射。(2) 电子在金属中所受到的散射可用散射系数μ来表述。μ的来源有两方面，一是温度引起离子振动造成的μT，二是各种缺陷及杂质引起晶格畸变造成的μn。μ=μT+μn相应地电阻为：ρ=ρT+ρn(3) 由温度造成的晶格动畸变和由缺陷造成的晶格静畸变，两者都会引起金属电阻率增大。什么是西贝克（Seeback）效应？它是哪种材料的基础？答：西贝克效应是由于温差产生的热电现象，即温差电动势效应——广义地，在半导体材料中，温度和电动势可以互相产生。实际上是材料的热和电之间转化，可以指导人们在热电之间建立相互联系，是热电材料的基础。简述导温系数（又称热扩散系数）α的物理意义及其量纲？答：物理意义：表示温度变化的速率。量纲：m2/s。技术磁化过程分为哪几个阶段？各个技术磁化阶段的特点是什么？答：第一部分（OA）是可逆磁化过程：可逆是指磁场减少到零时，M沿原曲线减少到零，在可逆磁化阶段，磁化曲线是线性的，没有剩磁和磁滞。在金属软磁材料中，此阶段以可逆壁移为主。第二部分（AB）是不可逆磁化阶段：此阶段内，M随磁化场急剧地增加，M与H曲线不再是线性。此阶段中，若把磁场减少到零，M不再沿原曲线减少到零，而出现剩磁，这种现象成为磁滞，巴克豪森指出，这一阶段由许多M的跳跃性变化组成，是畴壁的不可逆跳跃引起的。第三部分（BC）是磁化矢量的转动过程：第二阶段结束后，畴壁消失，整个铁磁体成为一个单畴体，但其内部磁化强度方向还与外磁场方向不一致。在这一阶段内随磁化场进一步增大，磁矩逐渐转动到与外磁场一致的方向，当磁化到S点时，磁体已磁化到技术饱和，这时的磁化强度称饱和磁化强度Ms。第四部分自C点以后，M-H曲线已近似于水平线，而M-H曲线大体上成为直线，自C点继续增大外磁，Ms还稍有增加，这一过程称为顺磁磁化过程。分子场的本质是什么？在铁磁体中起什么作用？答：分子场的本质：分子场的性质不是磁场，量子力学告诉我们，分子场来源于相邻原子中电子间的交换作用，它导致了磁有序。从本质上讲，这是属于静电作用。在铁磁体中的作用：铁磁物质内部存在很强的“分子场”，它使原子磁矩同向平行排列，即自发磁化到饱和；铁磁体的自发磁化分成若干磁畴，由于磁体中各磁畴的磁化方向不一致，所以大块磁体对外不显示磁性。简述经典自由电子气模型和量子自由电子气模型的特点？答：经典自由电子气模型：金属（已结晶的）由原子点阵（晶格）构成，价电子（最外层电子）是完全自由的，可以在整个金属中自由运动，就像气体分子能在一个容器内自由运动一样，故可以把价电子看成“自由电子气”，这些自由电子在晶格中的运动就像气体在容器中的运动一样（但不能脱离“容器”，即晶格）。自由电子的运动遵循经典力学的运动规律，遵循气体分子运动论。这些电子在一般情况下（没有外场的作用下）可沿所有方向运动，但在电场作用下由于静电相互作用，将逆着电场方向运动，从而使金属中产生电流（即：电子的定向运动）。电子与带正电的离子（由于价电子脱离原来的原子）的碰撞（也叫散射）妨碍电子的被无限加速，从而形成电阻。量子自由电子论：量子自由电子论用量子力学观点来研究在金属的大量原子集合体中的价电子分布问题。量子自由电子论的基本观点是：金属正离子（离子实）所形成的势场各处都是均价的；价电子是共有化的，他们不束缚于某个原