COMS模拟集成电路复习题.docVIP

1,MOS管的工作原理 MOS管有N沟和P沟之分，每一类分为增强型和耗尽型，增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压 vDS，也没有漏极电流产生。而耗尽型MOS 管在vGS=0 时，漏-源极间就有导电沟道存在。 MOS 管的源极和衬底通常是接在一起的。增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压vGS=0时，即使加上漏-源电压 vDS，总有一个 PN 结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，这时漏极电流 iD≈0。 若在栅-源极间加上正电压，即 vGS＞0，则栅极和衬底之间的 SiO2 绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，形成耗尽层，同时 P 衬底中的电子被吸引到衬底表面。当 vGS 数值较小，吸引电子的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现.vGS 增加时，吸引到 P衬底表面层的电子就增多，当 vGS 达到某一数值时，这些电子在栅极附近的 P 衬底表面便形成一个 N 型薄层，在漏-源极间形成 N 型导电沟道，称为反型层。vGS 越大，吸引到 P 衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压VT。N 沟增强型 MOS 管在 vGS＜VT 时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。当 vGS≥VT 时，才有沟道形成，此时在漏-源极间加正电压 vDS，才有漏极电流产生。而且vGS增大时，沟道变厚，沟道电阻减小，iD 增大。 2、影响MOS管阈值电压的主要因素 一是作为介质的栅氧化层中的电荷Qss及其性质。这种电荷通常由多种原因产生，其中一部分带正电，一部分带负电，其净电荷的极性会对衬底表面产生电荷感应，从而影响反型层的形成，或使器件耗尽，或阻碍反型层的形成。 二是衬底的掺杂浓度。要在衬底上表面产生反型层，必须施加能够将表面耗尽并且形成衬底少数载流子的积累的栅源电压，这电压的大小与衬底的掺杂浓度有直接关系。衬底掺杂浓度越低，多子浓度也越低，使衬底表面耗尽和反型所需要的电压VGS越小。衬底表面掺杂浓度的调整是通过离子注入杂质离子进行。 三是由栅氧化层厚度tOX决定的单位面积栅电容的大小。单位面积栅电容越大，电荷数量变化对VGS的变化越敏感，器件的阈值电压则越小。栅氧化层越薄，氧化层中的场强越大，栅氧化层的厚度受到氧化层击穿电压的限制。 四是栅材料与硅衬底的功函数差ΦMS的数值，这和栅材料性质以及衬底的掺杂类型有关，在一定的衬底掺杂条件下，栅极材料类型和栅极掺杂条件都将改变阈值电压。对于以多晶硅为栅极的器件，器件的阈值电压因多晶硅的掺杂类型以及掺杂浓度而发生变化 3MOS管的二级效应 衬底效应MOS管的阈值电压将随其源极和衬底之间电位的不同而发生变化。随着VGS上升，在衬底表面产生了耗尽层。当VGS上升阈值电压时，栅下的衬底表面发生反型，NMOS管在源漏之间开始导电。阈值电压的大小和耗尽层的电荷量有关，耗尽层的电荷量越多，NMOS管的开启就越困难，阈值电压越高。当VBS0时，栅极和衬底之间的电位差加大，耗尽层的厚度也变大，耗尽层内的电荷量增加，所以造成阈值电压变大。随着VBS变小，阈值电压上升，在VGS和VDS不变的情况下，漏极电流变小。 沟道长度调制效应MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大 亚阈值效应 来表示。其中ID0是和工艺有关的参数，η是亚阈值斜率因子。当VGS满足的条件时，一般认为MOS管进入了亚阈值区域. 4MOS二极管的电阻 5MOS管的特征频率的物理意义 6MOS管不同工作区的特点 截至区：源漏电流为零，有很好的开关特性，适用于数字电路；电阻漏极电压线性变化，电阻较小，在数字电路里面类似于开关的开在模拟也有广泛的应用，比如，运放，需要做频率补偿时，采用的方式，引入零点来消除第二主极点，从而提高系统稳定性，而此时用到的电阻用线性区电阻实现。，共模反馈中也会用到线性区的mos管。：漏极看，有较高的输出，作为负载使用时，可以提高增益，电路应用这特性可以提高共模干扰的抑制能力VGS－Vth：MOS管的“过驱动电压”，在漏源电压的作用下刚开始有电流产生时的VG为阈值电压Vth 。 工作在饱和区的MOS管可等效为一压控电流源，故可用跨导gm来表示MOS管的电压转变电流的能力，跨导越大则表示该MOS管越灵敏，在同样的过驱动电压下能引起更大的电流，跨导为漏源电压一定时，漏极电流随栅源电压的变化率，即 8比例电流镜的设计原理 这是标准的共源共栅结构，想比普通电流镜的好处就是输出电阻大，恒流特性显著增强，