2同质结和异质结半导体激光器.doc

1.半导体激光器的工作原理和阈值条件 （1）半导体激光器的基本结构和工作原理 图7.3.6示出了GaAs激光器的结构。 它的核心部分是PN结。PN结的两个端面是按晶体的天然晶面剖切开的，称为解理面，该二表面极为光滑，可以直接用作平行反射镜面，构成谐振腔。激光可以从一侧解理面输出，也可以从两侧输出。 （2）半导体激光器工作的阈值条件 激光器产生激光的前提条件除了粒子数发生反转还需要满足阈值条件 (7.3.7) 式中，a内是半导体激光器谐振腔的内部损耗；L为晶体两解理面之间的长度；r1和r2为解理面的反射率。 增益系数和粒子数反转的关系也取决于谐振腔内的工作物质 (7.3.8) 式中，t复合为结区电子的寿命，其倒数等于在E2、E1能级之间的爱因斯坦自发辐射系数；为粒子数反转值。 （3）半导体激光器的阈值电流 半导体激光器作用区的粒子数反转值难以确定，但是可以将它与工作电流I联系起来。 在低温下，假设在一定的时间间隔内，注入激光器的电子总数与同样时间内发生的电子与空穴复合数相等而达到平衡（黑板推导） (7.3.9) 2.同质结和异质结半导体激光器 （1）同质结砷化镓(GaAs)激光器的特性 ?伏安特性：同质结砷化镓(GaAs)激光器的特性与二极管相同，也具有单向导电性，如图7.3.7所示。 激光器系正向使用，其电阻主要取决于晶体体电阻和接触电阻，其阻值虽然不大，但因工作电流密度大，不能忽视它的影响。 ?阈值电流密度：影响阈值的因素很多 影响阈值电流密度的因数有：A晶体的掺杂浓度越大，阈值越小；B谐振腔的损耗越小，阈值越小；C在一定范围内，腔长越长，阈值越低；D温度对阈值电流的影响很大，半导体激光器宜在低温或室温下工作。 同质结半导体激光器的阈值电流密度很高，达3×104—5×104 A/cm2 。这样高的电流密度，将使器件发热。因此，在室温下，同质结半导体激光器只能以低重复率（几千赫兹至几十千赫兹）脉冲工作 。 ?方向性：图7.3.8给出了半导体激光束的空间分布示意图。 由于半导体激光器的谐振腔短小，激光方向性较差，特别是在结的垂直平面内，发散角很大可达20°-30°.在结的 水平面内，发散角约为几度。 ?光谱特性：图7.3.9是GaAs(申化家)激光器的发射光谱。其中图(a)是低于阈值时的荧光光谱，谱宽一般为几百埃，图(b)是注入电流达到或大于阈值时的激光光谱，谱宽达几十埃。半导体激光的谱线尽管比荧光窄得多，但比气体和固体激光器要宽得多。随着新器件的出现，谱宽已有所改善。 ?转换效率 注入式半导体激光器是一种把电功率直接转换为光功率的器件，转换效率极高。转换效率通常用量子效率和功率效率量度。 外微分量子效率 (7.3.10) 功率效率 功率效率定义为激光器的输出功率与输入电功率之比 (7.3.11) （2）异质结半导体激光器 异质结是由不同材料构成的结，形成结的两种材料沿界面具有相近的结构，以保持晶格的连续性。 （参考《激光原理及应用》陈家璧） 五、半导体激光器当前发展趋势 为了克服同质结半导体激光器的缺点，提高功率和效率，降低阈值电流，研制出了异质结半导体激光器。 现在我们知道半导体激光器件，可分为同质结、单异质结、双异质结等几种。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。 图7.3.6 GaAs激光器的结构 图7.3.7 GaAs激光器的伏安特性 图7.3.8 激光束的空间分布示意图 图7.3.9 GaAs激光器的发射光谱